浅沟渠隔离的平坦化方法技术

一种浅沟渠隔离的平坦化方法，至少包含下列步骤：提供一基材；依序在该基材上形成垫氧化层及掩膜层；在该垫氧化层及该掩膜层中形成开口，并且暴露出该基材；蚀刻暴露的该基材，以在该基材中形成沟渠；在该基材的该沟渠中形成介电层，且所述介电层高于该掩膜层；进行第一平坦化步骤，由第一研浆移除一部分的该介电层，并暴露出该掩膜层；进行第二平坦化步骤，由第二研浆移除另一部分的该介电层及一部分的该掩膜层，其中该第一平坦化步骤的移除速率高于该第二平坦化步骤；移除另一部分的该掩膜层；以及移除该垫氧化层。由以上方法，可在制程中保护组件区域，并且在晶圆区域及晶粒区域形成均匀表面结构的浅沟渠隔离。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺，特别是有关于，由不同选择比的研浆进行多步骤的平坦化制造过程，以快速地在晶圆的浅沟渠隔离形成均匀化的构形。
技术介绍
随着半导体制造工艺的微细化，组件的高性能及高度集成化的要求越来越高，使得平坦化工艺中组件表面结构的平整性格外重要。特别是在浅沟渠隔离制程中，经常利用化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，CMP)进行介电层的研磨制程。如图1和图2所示，是传统的制造流程剖面图。首先在图1中，在基材100上依序形成垫氧化层102与氮化硅层104，且在基材100中形成浅沟渠106。随后在基材100与浅沟渠106中，使用化学气相沉积法(CVD)形成氧化硅层110。然后在图2中，进行单一研磨制程，利用高选择比的研浆，直接以化学机械研磨(CMP)法去除高于氮化硅层104的氧化硅层110。在图3中，以热磷酸去除氮化硅层104，最后使用氢氟酸水溶液去除垫氧化层102，以在浅沟渠106中形成氧化硅插塞112。由于化学机械研磨制程是利用高选择比的研浆，由单一制程步骤研磨氧化硅层110，实验结果显示，在晶粒区域114以外的晶圆区域116的氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浅沟渠隔离的平坦化方法，至少包含下列步骤：提供一基材；依序在该基材上形成垫氧化层及掩膜层；在该垫氧化层及该掩膜层中形成开口，并且暴露出该基材；蚀刻暴露的该基材，以在该基材中形成沟渠；在该基材的该沟 渠中形成介电层，且所述介电层高于该掩膜层；进行第一平坦化步骤，由第一研浆移除一部份的该介电层，并暴露出该掩膜层；进行第二平坦化步骤，由第二研浆移除另一部份的该介电层及一部份的该掩膜层，其中该第一平坦化步骤的移除速率高于该第二 平坦化步骤；移除另一部份的该掩膜层；以及移除该垫氧化层。

【技术特征摘要】
1.一种浅沟渠隔离的平坦化方法，至少包含下列步骤提供一基材；依序在该基材上形成垫氧化层及掩膜层；在该垫氧化层及该掩膜层中形成开口，并且暴露出该基材；蚀刻暴露的该基材，以在该基材中形成沟渠；在该基材的该沟渠中形成介电层，且所述介电层高于该掩膜层；进行第一平坦化步骤，由第一研浆移除一部份的该介电层，并暴露出该掩膜层；进行第二平坦化步骤，由第二研浆移除另一部份的该介电层及一部份的该掩膜层，其中该第一平坦化步骤的移除速率高于该第二平坦化步骤；移除另一部份的该掩膜层；以及移除该垫氧化层。2.一种浅沟渠隔离的平坦化方法，至少包含下列步骤依序形成垫氧化层及掩膜层在一基材上；在该垫氧化层及该掩膜层中形成开口，并且暴露出该基材；蚀刻暴露的该基材，以在该基材中形成沟渠；在该基材的该沟渠中形成介电层，且该介电层高于该掩膜层；进行第一平坦化步骤，由第一研浆移除一部份的该介电层，并曝露出该掩膜层；进行第二平坦化步骤，由第二研浆移除另一部份的该介电层及一部份的该掩膜层，其中该第一研浆的该介电层/该掩膜层的选择比小于该第...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾同庆，章勋明，杨礼嘉，侯全评，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]