【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种晶圆的清洗方法及其装置，特别是涉及一种利用热去离子水与热氮气来去除晶圆上的高分子聚合物(Polymer)的方法及其装置。
技术介绍
在半导体制程中，在一处理步骤后，通常会在晶圆上留下反应的残留物。举例而言，在蚀刻步骤后，常在晶圆上残留有高分子聚合物等物质。为了避免这些制程残余物影响后续制程的进行，并防止反应室与其它晶圆受到制程残余物的污染，目前大都在完成一处理步骤后，对处理后的晶圆进行清洗，藉以移除黏附于晶圆上的制程残余物，来确保制程可靠度。目前，晶圆上的高分子聚合物的移除可在奥地利赛思(SEZ)公司所提供的旋转型机台上进行。赛思公司的旋转型机台可提供自动化单片式化学制程，适用于晶圆正面、背面及边缘的处理。在赛思公司的旋转型机台清洗晶圆上的高分子聚合物时，是在晶圆旋转的同时，从晶圆上方将清洗溶液施放在晶圆上。通过旋转所产生的离心力，使清洗溶液布满整个晶圆而使清洗溶液与残余物反应，再通过离心力将清洗的反应物从晶圆表面上移除。接着，利用干燥气体吹拂晶圆的方式，来干燥晶圆，而完成一循环的晶圆清洗。若此时晶圆的洁净度仍未达制程标准时，可依上述步骤重复...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆的清洗方法，适用以于一机台中去除该晶圆上的多个残余物，该晶圆的清洗方法至少包括以一化学溶液冲洗该晶圆，藉以使该化学溶液与该些残余物反应；利用一热去离子水(DIW)冲洗该晶圆，其中该热去离子水具有一预设温度；以及进行一干燥步骤。2.根据权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于，该些残余物至少包括高分子聚合物(Polymer)。3.根据权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于，该机台为一旋转型机台。4.根据权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于，该机台为一单晶圆处理机台。5.根据权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于，该热去离子水的该预设温度介于35℃至45℃之间。6.根据权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于，该干燥步骤至少包括使用一热氮气。7.根据权利要求6所述的晶圆的清洗...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈陪弘，陈义彬，蓝宏山，陈俋菱，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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