磁阻式随机存取存储器电路制造技术

一种磁阻式随机存取存储器电路，包括下列组件：磁阻式存储单元，具有固定磁轴层、自由磁轴层，以及设置于固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层。第一开关装置是耦接于固定磁轴层的一端，并具有第一控制闸。第二开关装置是耦接于自由磁轴层，并具有第二控制闸。位元线是耦接于第二开关装置，用以于读取动作时提供读取电流。第一编程线是耦接于固定磁轴层的另一端，用以于执行编程动作时提供编程电流。第二编程线是耦接于第一开关装置。字符线是耦接于第一控制闸以及第二控制闸，用以提供致能信号以导通第一开关装置以及第二开关装置。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种存储数组，特别是有关于一种磁阻式随机存取存储器的存储数组。
技术介绍
磁阻式随机存取存储器(Magnetic Random Access Memory，以下简称为MRAM)是一种金属磁性材料，其抗辐射性比半导体材料要高出许多，属于非挥发性存储器(Non-volatile Random Access Memory)，当计算机断电、关机的时候，仍然可以保持存储性。MRAM是利用磁电阻特性储存记录信息，具有低耗能、非挥发、以及无读写次数限制的特性。其运作的基本原理与在硬盘上存储数据一样，数据以磁性的方向为依据，储存为0或1，所储存的数据具有永久性，直到被外界的磁场影响之后，才会改变这个磁性数据。图1是显示传统MRAM数组的架构图。MRAM单元10A及10B的顶部是耦接于位元线Bn，而其底部是耦接于电极12。晶体管14的栅极是耦接于字符线(Wm，Wm+1)，源极是接地，而其汲极是分别耦接于对应的电极12。用以写入数据的数据线(16A、16B)与电极12之间具有一绝缘层13，用以隔离数据线16A、16B与电极12。图2A及图2B是显示MRAM单元10的详细结构图。电流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁阻式随机存取存储器电路，包括：一磁阻式存储单元，具有一固定磁轴层、一自由磁轴层，以及设置于上述固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层，上述磁阻式存储单元具有一第一导通状态；一第一开关装置，耦接于上述固定磁轴层的一端，并具 有一第一控制闸；一第二开关装置，耦接于上述自由磁轴层，并具有一第二控制闸；一位元线，耦接于上述第二开关装置，用以于读取动作时提供读取电流；一第一编程线，耦接于上述固定磁轴层的另一端，用以于执行编程动作时提供编程电流； 一第二编程线，耦接于上述第一开关装置；以及一字符线，耦接于上述第一控制闸以及第二...

【技术特征摘要】
US 2003-2-13 10/366,4991.一种磁阻式随机存取存储器电路，包括一磁阻式存储单元，具有一固定磁轴层、一自由磁轴层，以及设置于上述固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层，上述磁阻式存储单元具有一第一导通状态；一第一开关装置，耦接于上述固定磁轴层的一端，并具有一第一控制闸；一第二开关装置，耦接于上述自由磁轴层，并具有一第二控制闸；一位元线，耦接于上述第二开关装置，用以于读取动作时提供读取电流；一第一编程线，耦接于上述固定磁轴层的另一端，用以于执行编程动作时提供编程电流；一第二编程线，耦接于上述第一开关装置；以及一字符线，耦接于上述第一控制闸以及第二控制闸，用以提供一致能信号以导通上述第一开关装置以及第二开关装置。2.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器电路，其特征是于执行编程动作时，上述第二编程线是接地，且上述致能信号导通上述第一开关装置以及第二开关装置，使得上述编程电流经由上述固定磁轴层以及第二开关装置而流至上述第二编程线，而上述编程电流流经上述固定磁轴层时所产生的磁场改变上述自由磁轴层的磁轴方向，使得上述磁阻式存储单元的导通状态由上述第一导通状态改变为一第二导通状态。3.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器电路，其特征是于执行读取动作时，上述第一编程线以及第二编程线是接地，而上述致能信号导通上述第一开关装置以及第二开关装置，使得上述读取电流经由上述第二开关装置、磁阻式存储单元以及第一开关装置而流至上述第一编程线以及第二编程线，并根据上述位元线的电压位准读取储存于上述磁阻式存储单元的数据。4.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器电路，其特征是上述编程电流是读取电流的两倍至两百倍。5.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器电路，其特征是上述第一开关装置的尺寸是大于上述第二开关装置的尺寸。6.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器电路，其特征是上述第一导通状态为高阻抗状态。7.根据权利要求6所述的磁阻式随机存取存储器电路，其特征是上述第二导通状态为低阻抗状态。8.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器电路，其特征是上述第一开关装置及第二开关装置为晶体管。9.根据权利要求8所述的磁阻式随机存取存储器电路，其特征是上述第一开关装置及第二开关装置为NMOS晶体管。10.根据权利要求8所述的磁阻式随机存取存储器电路，其特征是上述第一开关装置及第二开关装置为PMOS晶体管。11.一种磁阻式随机存取存储器电路，包括一磁阻式存储单元，具有一固定磁轴层、一自由磁轴层，以及设置于上述固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层，上述磁阻式存储单元具有一第一导通状态；一第一操作线，耦接于上述固定磁轴层的一端，用以于读取动作时提供读取电流以及于编程时提供编程电流；一第一开关装置，耦接于上述自由磁轴层，并具有一第一控制闸；一第二开关装置，耦接于上述固定磁轴层的另一端，并具有一第二控制闸；一第一选取线，耦接于上述第一控制闸，用以提供一第一选取信号；一第二选取线，耦接于上述第二控制闸，用以提供一第二选取信号；以及一第二操作线，耦接于上述第一开关装置以及第二开关装置。12.根据权利要求11所述的磁阻式随机存取存储器电路，其特征是于执行编程动作时，上述第二操作线是接地，且上述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：林文钦，邓端理，池育德，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]