【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及到金属氧化物半导体晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorTransistor；MOS)元件结构及其制造方法，特别涉及到操作电压可大于0.7伏特的金属氧化物半导体晶体管元件结构及其制造方法。
技术介绍
近年来，便携式通讯产品与电子产品，例如移动电话与手提电脑等，快速流行，使得信息的传递更为快速，因此人们对于此类产品的需求大幅度增加。为了更增加便携式通讯产品与电子产品的便利性，如何延长其电池使用时间就成为电路设计上的考虑重点。由于半导体产业的发展迅速，集成电路的工作频率与运算能力快速上升，存储装置与硬盘的容量急剧增大，从而使得便携式通讯产品与电子产品的能力日益增强，也造成系统的功率消耗越来越大。但是，现今电池的储电量并不能跟上半导体工艺的改进速度，而使得便携式通讯产品与电子产品受限于电池的蓄电能力上。另外，若便携式通讯产品与电子产品的耗电量过大，也容易造成系统内部升温而使得操作环境不稳定，尤其在便携式通讯产品与电子产品的尺寸越小时，越容易发生。由上述可知，电池的尺寸、重量与使用时间限制了速度更快的电路系统与内存储存装置的发展，因此...
【技术保护点】
一种Ｎ型穿隧偏压金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，至少包括：一Ｐ型主体，其中该Ｐ型主体具有一顶面；一第一绝缘区域位于该Ｐ型主体中并由该顶面向下延伸，从而在该Ｐ型主体中隔离出一体积，借以形成一Ｐ井结构；具有相对两长边 的一栅极座，其中该栅极座的一端延伸跨过该Ｐ井结构而到达该栅极座的一另一端；一介电层位于该栅极座与该顶面间；一Ｎ型区域位于该Ｐ井结构中，且该Ｎ型区域邻接于该栅极座的这些长边，其中该Ｎ型区域具有一源极、以及相对于该源极的一漏极， 并且该源极与该漏极位于该栅极座的这些长边的相对两侧；以及一Ｐ...
【技术特征摘要】
1.一种N型穿隧偏压金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，至少包括一P型主体，其中该P型主体具有一顶面；一第一绝缘区域位于该P型主体中并由该顶面向下延伸，从而在该P型主体中隔离出一体积，借以形成一P井结构；具有相对两长边的一栅极座，其中该栅极座的一端延伸跨过该P井结构而到达该栅极座的一另一端；一介电层位于该栅极座与该顶面间；一N型区域位于该P井结构中，且该N型区域邻接于该栅极座的这些长边，其中该N型区域具有一源极、以及相对于该源极的一漏极，并且该源极与该漏极位于该栅极座的这些长边的相对两侧；以及一P型区域位于该N型区域的一侧，并且包围住该栅极座的该另一端，其中该P型区域在该P井结构与该栅极座间形成一穿隧连接。2.根据权利要求1所述的N型穿隧偏压金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，上述的P型主体由一部分空乏绝缘层上覆硅基材所构成，并且该N型穿隧偏压金属氧化物半导体晶体管，还具有一第二绝缘区域位于该P型主体中并与该顶面具有一距离，其中该第二绝缘区域位于该第一绝缘区域下并与该第一绝缘区域连接，并且该P井结构位于该第二绝缘区域上。3.根据权利要求1所述的N型穿隧偏压金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，上述的P型主体由一本体基材所构成，并且该N型穿隧偏压金属氧化物半导体晶体管，还具有一浮动N型深井结构位于该P型主体中，其中该浮动N型深井结构位于该第一绝缘区域所隔离的该体积中，并与该第一绝缘区域连结，并且位于该P井结构下。4.根据权利要求1所述的N型穿隧偏压金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，上述的P型区域具有数个受体离子，而这些受体离子的浓度介于每平方厘米1019个离子至每平方厘米1020个离子之间。5.一种P型穿隧偏压金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，至少包括一N型主体，其中该N型主体具有一顶面；一第一绝缘区域位于该N型主体中并由该顶面向下延伸，从而在该N型主体中隔离出一体积，借以形成一N井结构；具有相对两长边的一栅极座，其中该栅极座的一端延伸跨过该N井结构而到达该栅极座的一另一端；一介电层位于该栅极座与该顶面间；一P型区域位于该N井结构中，并且该P型区域邻接于该栅极座的这些长边，其中该P型区域具有一源极、以及相对于该源极的一漏极，并且该源极与该漏极位于该栅极座的这些长边的相对两侧；以及一N型区域位于该P型区域的一侧，并且包围住该栅极座的该另一端，其中该N型区域在该N井结构与该栅极座间形成一穿隧连接。6.根据权利要求5所述的P型穿隧偏压金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，上述的N...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨国男，詹宜陵，朱又麟，陈豪育，杨富量，胡正明，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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