【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术有关于一种高压操作的功率组件，特别有关一种侧面扩散金属氧化半导体(LDMOS)晶体管的闸极层与P型体的结构及其制作方法。
技术介绍
于现今半导体技术中，为了达成单芯片系统(single-chip system)的操作，是将控制器、内存、低压操作的电路以及高压操作的功率组件高度整合至单一芯片上，其中功率组件的研发种类包含有垂直式功率金属氧化半导体(VDMOS)晶体管、绝缘闸极双载子晶体管(IGBT)、侧面扩散金属氧化半导体(LDMOS)晶体管等几种，其研发目的在于提高电源转换效率来降低能源的损耗。特别是LDMOS晶体管可以应用于高压CMOS兼容制程，故成为当前较普遍的高压组件。请参阅图1，其显示习知LDMOS晶体管的结构的剖面示意图。以一P型半导体硅基底10的高压组件区域为例，其表面上包含有一N型磊晶层12，且N型磊晶层12的内部包含有一浅沟隔离区域14是用来隔绝高压组件区域内的组件结构。一N+源极区域16是形成于N型磊晶层12内，且位于浅沟隔离区域14的一侧。一N+汲极区域18是形成于N型磊晶层12内，且位于浅沟隔离区域14的另一侧。一P型体(P-b...
【技术保护点】
一种侧面扩散金属氧化半导体晶体管的结构，包括有：一半导体硅基底，其表面区域具有一第一导电型；一马蹄型的闸极层，是形成于该半导体硅基底的表面上，该马蹄型的闸极层是由一第一直向延伸区域、一第二直向延伸区域以及一横向延伸区域所连接 构成，其中该第一直向延伸区域连接于该横向延伸区域的左侧，且该第二直向延伸区域连接于该横向延伸区域的右侧；一具有该第一导电型的第一源极区域，是形成于该半导体硅基底的表面区域内，且位于该闸极层的第一直向延伸区域的左侧壁周围；一具 有该第一导电型的第二源极区域，是形成于该半导体硅基底的表面区域内，且...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种侧面扩散金属氧化半导体晶体管的结构，包括有一半导体硅基底，其表面区域具有一第一导电型；一马蹄型的闸极层，是形成于该半导体硅基底的表面上，该马蹄型的闸极层是由一第一直向延伸区域、一第二直向延伸区域以及一横向延伸区域所连接构成，其中该第一直向延伸区域连接于该横向延伸区域的左侧，且该第二直向延伸区域连接于该横向延伸区域的右侧；一具有该第一导电型的第一源极区域，是形成于该半导体硅基底的表面区域内，且位于该闸极层的第一直向延伸区域的左侧壁周围；一具有该第一导电型的第二源极区域，是形成于该半导体硅基底的表面区域内，且位于该闸极层的第二直向延伸区域的右侧壁周围；一具有该第一导电型的汲极区域，是形成于该半导体硅基底的表面区域内，且位于该闸极层的第一直向延伸区域以及第二直向延伸区域的间隙内；一具有第二导电型的第一离子扩散区，是形成于该半导体硅基底的表面区域内，且环绕该第一源极区域的侧壁与底部；以及一具有第二导电型的第二离子扩散区，是形成于该半导体硅基底的表面区域内，且环绕该第二源极区域的侧壁与底部；其中，该闸极层的第一直向延伸区域以及该第一离子扩散区域的外围形成一第一重迭区域，且该闸极层的第二直向延伸区域以及该第二离子扩散区域的外围形成一第二重迭区域。2.根据权利要求1所述的侧面扩散金属氧化半导体晶体管的结构，其中该第一导电型为N型，则该第二导电型为P型。3.根据权利要求1所述的侧面扩散金属氧化半导体晶体管的结构，其中该第一、第二离子扩散区为P+型。4.根据权利要求1所述的侧面扩散金属氧化半导体晶体管的结构，更包括有一第一隔离区域，是形成于该半导体硅基底的表面区域内，且位于该闸极层的第一直向延伸区域的右侧壁周围；以及一第二隔离区域，是形成于该半导体硅基底的表面区域内，且位于该闸极层的第二直向延伸区域的左侧壁周围；其中，该汲极区域是位于该第一、第二隔离区域的间隙内。5.根据权利要求1所述的侧面扩散金属氧化半导体晶体管的结构，其中该马蹄型的闸极层是一多晶硅层。6.根据权利要求1所述的侧面扩散金属氧化半导体晶体管的结构，其中该半导体硅基底的表面区域是一N型磊晶层。7.根据权利要求1所述的侧面扩散金属氧化半导体晶体管的结构，其中更包括有一闸极绝缘层，是形成于该闸极层与该半导体硅基底表面之间。8.一种侧面扩...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨家伟，张大鹏，廖志成，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。