下载侧面扩散金属氧化半导体晶体管的结构及其制作方法的技术资料

文档序号:3207568

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本发明的侧面扩散金属氧化半导体晶体管的结构,包括有一马蹄型的闸极层,是由一第一直向延伸区域、一第二直向延伸区域以及一横向延伸区域所连接构成。一第一源极区域是形成于该闸极层的第一直向延伸区域的左侧壁周围,一第二源极区域是形成于该闸极层的第二直...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

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