瓶型渠沟的形成方法技术

本发明专利技术提供一种瓶型渠沟（ｂｏｔｔｌｅ－ｓｈａｐｅｄ　ｔｒｅｎｃｈ）的形成方法。首先，提供具有一渠沟的一基底，其中渠沟具有一上部与一下部；然后，形成一氧化层于位在下部的渠沟的周围壁上；然后，以氧化层为罩幕，对渠沟进行一氮化程序，而形成一氮化膜于位在上部的渠沟的侧壁上；然后，去除氧化层；接着，以氮化膜为罩幕，对渠沟进行一等向性蚀刻程序而形成位在下部的一空间。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是有关于一种半导体制程，特别是有关于一种瓶型渠沟电容器(bottle-shaped trench capacitor)的制程，更特别是一种。
技术介绍
动态随机存取内存(Dynamic Random Access Memory，以下简称为DRAM)是以记忆胞(memory cell)内电容器的带电荷(charging)状态来储存数据。然而随着DRAM体积的缩小化，深渠沟型(deep trench type)电容器便被广泛地应用在DRAM中。然而，为了要增加电容器的电容量，瓶型渠沟型电容器(bottle-shaped trench capacitor)便成为业界经常使用的电容器型式之一。以下，利用图1A-图1I来说明习知的瓶型渠沟制程首先，请参阅图1A，先于一硅基底100上形成一垫层(pad layer)110图案，该垫层110是包含一氧化垫层(未图示)与一氮化硅层(未图示)。然后，以该垫层110图案为蚀刻罩幕，利用干蚀刻方式而于该硅基底100中形成一渠沟120，该渠沟120具有一上部(upper region)130与一下部(lower region)140。然后，仍请本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种瓶型渠沟（ｂｏｔｔｌｅ－ｓｈａｐｅｄ　ｔｒｅｎｃｈ）的形成方法，包括下列步骤：　　　　提供一基底；　　　　形成一渠沟于该基底中，其中该渠沟具有一上部与一下部；　　　　形成一氧化层于位在下部的渠沟的周围壁上；　　　　以该氧化层为罩幕，对该渠沟进行一氮化程序，而形成一氮化膜于位在上部的渠沟的侧壁上；　　　　去除该氧化层；以及　　　　以该氮化膜为罩幕，对该渠沟进行一等向性蚀刻程序而形成位在下部的一空间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种瓶型渠沟(bottle-shaped trench)的形成方法，包括下列步骤提供一基底；形成一渠沟于该基底中，其中该渠沟具有一上部与一下部；形成一氧化层于位在下部的该渠沟的周围壁上；以该氧化层为罩幕，对该渠沟进行一氮化程序，而形成一氮化膜于位在上部的该渠沟的侧壁上；去除该氧化层；以及以该氮化膜为罩幕，对该渠沟进行一等向性蚀刻程序而形成位在下部的一空间。2.根据权利要求1所述的瓶型渠沟的形成方法，其中该基底是由单晶硅(single crystal Si)所构成。3.根据权利要求1所述的瓶型渠沟的形成方法，其中该氧化层是经由热氧化法(thermal oxidation)所形成。4.根据权利要求1所述的瓶型渠沟的形成方法，其中该氧化层的厚度是10-200埃()。5.根据权利要求3所述的瓶型渠沟的形成方法，其中形成该氧化层于位在下部的该渠沟的周围壁上的步骤包括顺应地形成一热氧化层于该渠沟中；将一光阻层填满该渠沟；部分回蚀该光阻层，而形成一剩余光阻层于位在下部的该热氧化层上；以该剩余光阻层为罩幕；去除位在上部的该热氧化层；以及去除该剩余光阻层。6.根据权利要求1所述的瓶型渠沟的形成方法，其中该氮化程序是快速热氮化程序(rapid thermal nitridation procedure，RTN)。7.根据权利要求6所述的瓶型渠沟的形成方法，其中该快速热氮化程序的加热温度是800-1200℃。8.根据权利要求1所述的瓶型渠沟的形成方法，其中该氮化膜的厚度是15-30埃()。9.根据权利要求1所述的瓶型渠沟的形成方法，其中该渠沟的形成步骤包括形成一图案化的垫层(pad layer)于该基底上；以及以该垫层为罩幕，去除部分该基底...

【专利技术属性】
技术研发人员：林瑄智，黄镇洲，张明成，廖显皓，陈锰宏，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]