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一种穿隧偏压金属氧化物半导体晶体管（ＴＢＭＯＳ），可应用在传统本体（Ｂｕｌｋ）基材或部分空乏绝缘层上覆硅（ＰＤ　　ＳＯＩ）基材中，用来在栅极与基材之间形成穿隧连接（Ｔｕｎｎｅｌ　　Ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）。本发明所述晶体管中的栅极座具有稍长于...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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