具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术提出一种具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管及其制造方法。本发明专利技术的具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管包括一绝缘层和多个岛状的应变硅主动层。其中，岛状的应变硅主动层设于绝缘层之上，且岛状的应变硅主动层彼此分隔。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种半导体组件及其制造方法，且特别是有关于一种。
技术介绍
互补式金氧半导体(complementary metal-oxide-semicondcutor；COMS)为目前常用于制造超大规模集成电路(ultra-large scaleintegrated；ULSI)的半导体制程。而随着金氧半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistors；MOSFET)的尺寸缩小，可改善组件的操作效能、提高组件的密度和降低制造成本。进一步改善CMOS晶体管的效能的方法为利用应变引发的能带结构变形来增加载子的迁移率，以增加场效晶体管的趋动电流。藉此可以改善在双轴拉伸应变下的硅层中电子和空穴的迁移率，而电子和空穴的增加可以分别改善N沟道型和P沟道型的场效应晶体管。传统的应变硅层的制造方法，藉由在松弛的硅锗(relaxed SiGe)层上磊晶成长硅通道层，以制备伸张应变的硅层。而在成长伸张应变的硅通道层之前，会先于硅基底上成长摩尔比例梯度变化的Si1-xGex层，以做为缓冲层，再接着于Si1-xGex缓冲层上成长一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管的制造方法，包括：　　　　提供一应变硅覆绝缘层型基底，其具有一应变硅层、一绝缘层和一基底的迭层结构；以及　　　　将该应变硅层定义出一有源区，并露出该有源区周围的该绝缘层的表面，以形成一岛状的应变硅主动层。

【技术特征摘要】
US 2003-1-31 10/356,0361.一种具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管的制造方法，包括提供一应变硅覆绝缘层型基底，其具有一应变硅层、一绝缘层和一基底的迭层结构；以及将该应变硅层定义出一有源区，并露出该有源区周围的该绝缘层的表面，以形成一岛状的应变硅主动层。2.如权利要求1所述的具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管的制造方法，其特征在于所述绝缘层的材质为氧化硅、氮化硅或氧化铝。3.如权利要求1所述的具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管的制造方法，其特征在于所述应变硅层的厚度介于10埃至500埃之间。4.如权利要求1所述的具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管的制造方法，其特征在于所述岛状的应变硅主动层的应变为沿其平面方向的拉伸应变。5.如权利要求4所述的具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管的制造方法，其特征在于所述应变的应变强度为0.1％至2％。6.如权利要求1所述的具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管的制造方法，其特征在于所述岛状的应变硅主动层的应变为沿其平面方向的压缩应变。7.如权利要求6所述的具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管的制造方法，其特征在于所述应变的应变强度为0.1％至2％。8.如权利要求1所述的具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管的制造方法，其特征在于所述形成岛状的应变硅主动层的方法包括于该应变硅层上形成一蚀刻掩模层，该蚀刻掩模层具有有源区的图案；蚀刻该应变硅层，至露出该绝缘层的表面；以及移除该蚀刻掩模层。9.如权利要求1所述的具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管的制造方法，其特征在于更包括于该岛状的应变硅主动层上形成一栅极介电层和一栅极电极的堆栈层，并于该栅极电极两侧的该岛状的应变硅主动层中形成一源极和一漏极。10.如权利要求9所述的具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管的制造方法，其特征在于更包括形成一内层绝缘层覆盖该栅极电极、该岛状的应变硅主动层和该绝缘层。11.如权利要求1所述的具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管的制造方法，其特征在于更包括将该岛状的应变硅主动层的顶角圆化的步骤。12.如权利要求11所述的具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管的制造方法，其特征在于其中将该岛状的应变硅主动层的顶角圆化的方法包括于该应变硅层上形成一蚀刻掩模层，该蚀刻掩模层具有有源区的图案；蚀刻该应变硅层，至露出该绝缘层的表面，以形成该岛状的应变硅主动层；将该蚀刻掩模层缩小至暴露出该岛状的应变硅主动层的顶角；进行一角落圆化制程；以及移除该蚀刻掩模层。13.如权利要求12所述的具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管的制造方法，其特征在于所述该角落圆化制程包括依序进行氧化制程和移除氧化物的制程。14.如权利要求12所述的具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管的制造方法，其特征在于所述角落圆化制程包括进行蚀刻制程和回火制程。15.如权利要求12所述的具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管的制造方法，其特征在于所述角落圆化制程包括进行蚀刻制程、氧化制程和回火制程。16.如权利要求1所述的具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管的制造方法，其特征在于在形成岛状的应变硅主动层之前，更包括使具有第一厚度的该应变硅层薄化，以形成具有一第二厚度的该应变硅层。17.一种具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管的制造方法，包括提供一应变硅覆绝缘层型基底，其具有一应变硅层、一绝缘层和一基底的迭层结构，其中该应变硅层具有第一厚度；将一部份的具有第一厚度的该应变硅层薄化成具有第二厚度的该应变硅层；将具有该第一和第二厚度的应变硅层定义出多个有源区，并露出该些有源区周围的该绝缘层的表面，以形成具有该第一厚度的多个第一岛状的应变硅主动层和具有该第二厚度的多个第二岛状的应变硅主动层。18.如权利要求17所述的具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管的制造方法，其特征在于所述绝缘层的材质为氧化硅、氮化硅或氧化铝。19.如权利要求17所述的具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管的制造方法，其特征在于所述应变硅层的厚度介于10埃至500埃之...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨育佳，胡正明，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]