有布线连接结构的电子器件的制造方法技术

本发明专利技术旨在实现可以避免通孔塞与金属布线之间的接触不良的、具有布线连接结构的电子器件的制造方法。在形成通孔（８）的蚀刻工序中，用Ｃ↓［４］Ｈ↓［８］、Ｏ↓［２］及Ａｒ的混合气体作为蚀刻气体。因而，至少在通孔（８）的侧壁的上部，通孔（８）的侧壁的表面形成没有微小凹凸的光滑形状。因此，在阻挡层金属膜（９）与通孔（８）的侧壁之间不会产生起因于上述微小凹凸的间隙，两者相互紧贴。其结果，在ＣＭＰ工序后的氢氟酸清洗工序中，清洗液不会通过阻挡层金属膜（９）与通孔（８）的侧壁之间的间隙而渗入到金属膜（３）内。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，具体涉及在电子器件具有的多层布线结构中，为了相互连接下层布线和上层布线的通孔塞(via plug)的形成方法。
技术介绍
在传统的通孔塞的形成方法中，是按照以下顺序来进行的(a)掩盖金属布线并形成层间绝缘膜的工序；(b)在层间绝缘膜的表面上，形成其上有在金属布线的上方开口的图案的光刻胶的工序；(c)通过把光刻胶用作蚀刻掩模进行各向异性蚀刻，除去层间绝缘膜并形成通孔从而露出金属布线的工序。(d)除去光刻胶的工序；(e)在由工序(d)得到的结构上形成金属膜的工序；(f)用CMP(Chemical Mechanical Polishing化学机械抛光)法除去存在于层间绝缘膜表面的上方的局部金属膜的工序；以及(g)用对金属布线的材料有溶解性的清洗液清洗由工序(f)得到的结构的表面的工序。特别是在工序(c)中，由使用了C5F8、O2及Ar的混合气体的等离子气体或使用了C4F8、O2及Ar的混合气体的等离子气体进行各向异性干蚀刻。另外，关于的技术被公告在下列的特许文献1～4中。特开平11-186390号公报 特开平9-162281号公报[特许文献3]特开平10-32251号本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有布线连接结构的电子器件的制造方法，其中包括：（ａ）在衬底（１）上形成布线（２～４）的工序；（ｂ）掩盖所述布线而形成层间绝缘膜（５）的工序；（ｃ）在所述层间绝缘膜的表面上，形成所述布线的上方有开口图案的掩模材料（ ７）的工序；（ｄ）通过将所述掩模材料用于蚀刻掩模进行各向异性蚀刻除去所述层间绝缘膜来形成凹部（８），从而露出所述布线的工序；（ｅ）除去所述掩模材料的工序；（ｆ）一边充填所述凹部的内部，一边在由所述工序（ｅ）得到的结构 上形成导电膜（９、１０）的工序；（ｇ）将在所述层间绝缘膜的所述表面上形成...

【技术特征摘要】
JP 2003-2-7 30381/031.一种有布线连接结构的电子器件的制造方法，其中包括(a)在衬底(1)上形成布线(2～4)的工序；(b)掩盖所述布线而形成层间绝缘膜(5)的工序；(c)在所述层间绝缘膜的表面上，形成所述布线的上方有开口图案的掩模材料(7)的工序；(d)通过将所述掩模材料用于蚀刻掩模进行各向异性蚀刻除去所述层间绝缘膜来形成凹部(8)，从而露出所述布线的工序；(e)除去所述掩模材料的工序；(f)一边充填所述凹部的内部，一边在由所述工序(e)得到的结构上形成导电膜(9、10)的工序；(g)将在所述层间绝缘膜的所述表面上形成的部分的所述导电膜除去的工序；以及(h)用对所述布线材料有溶解性的清洗液清洗由所述工序(g)得到的结构的表面的工序；其特征在于在所述工序(d)中，通过用预定的蚀刻气体进行所述各向异性蚀刻，至少在所述层间绝缘膜的所述表面附近，所述凹部的侧壁为没有凹凸的光滑形状。2.如权利要求1所述的布线连接结构的电子器件的制造方法，其特征在于所述预定的蚀刻气体是C4H8、O2与Ar的...

【专利技术属性】
技术研发人员：泉谷淳子，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：JP[日本]