用于制造电子器件的方法以及包括堆叠的电子器件技术

技术编号:14805143 阅读:127 留言:0更新日期:2017-03-15 00:06
本公开的实施例涉及用于制造电子器件的方法以及电子器件,其中集成电路(3)的背部面被固定在支撑晶片(2)的正面上;保护晶片(12)面向并与所述芯片的前部面间隔一定距离处地定位;固定装置(13)被插入在所述芯片和所述晶片之间,并位于前部面的中心区域之外的芯片的前部面的区域上,该固定装置包括粘合剂以及包括在该粘合剂中的固体间隔元件;屏障阻挡件(17)被布置在芯片的前部面的所述中心区域之外在芯片和保护晶片之间;并且包封环(20)围绕芯片、保护晶片和屏障阻挡件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及包括集成电路芯片的电子器件领域。
技术介绍
根据一个已知实施例,电子器件包括堆叠,其包含支撑晶片、安装在该支撑晶片的前部面上并在其前部面中包括传感器的集成电路芯片,以及被安装在该前部面上方的保护晶片。该堆叠通常由包封块围绕。尤其在传感器是位于与保护晶片相同侧上,可选地由透明材料(例如,玻璃)制成的光学传感器的情况下,存在伴随的获得在芯片的前部面和保护晶片之间的自由和密封的空间的困难。
技术实现思路
本专利技术的目的尤其在于解决这样的困难。一个实施例提供了一种用于制造至少一个包括包含支撑晶片、集成电路芯片和保护晶片的堆叠的电子器件的方法。本方法包括:将芯片的背部面固定在支撑晶片的前部面上;将固定装置放置在位于前部面的中心区域的之外的芯片的前部面的区域上,该固定装置包括可固化的粘合剂和包含在该粘合剂中的固体间隔元件;将保护晶片放置在所述固定装置上,以使得通过固定装置在芯片和保护晶片之间保留自由空间,并且在自由空间和外部之间保留至少一个通道;将固定装置的粘合剂固化,以使得将芯片和支撑晶片固定在一起;围绕芯片和保护芯片并在支撑晶片的前部面的外围区域上产生包封环。此外,本方法包括在芯片和保护晶片之间产生屏障阻挡件,以防止包封环的材料穿入所述自由空间。本方法可以包括将所述固定装置配置为围绕所述中心区域并且具有处于彼此间隔一定距离处的端部部分的环形焊道的形式,以使得在所述端部部分之间形成所述通道,在所述粘合剂固化之后,所述环形焊道形成所述屏障阻挡件。本方法可以包括:将所述固定装置配置为在彼此间隔一定距离处的滴液或区段的形式,以及包括:在固定装置的粘合剂固化之后并且在产生包封环之前,在芯片和保护晶片之间产生以中间外围密闭环形式的屏障阻挡件。本方法可以包括,为了产生包封环:提供涂覆材料并固化涂覆材料。固定装置的可固化粘合剂是能够在热效应下固化的材料。中间外围密闭环由能够在紫外线辐照效应下固化的材料形成。一个实施例还提供了一种电子器件,所述电子器件包括:具有前部面的支撑晶片;具有固定在支撑晶片的前部面上的背部面的集成电路芯片;被定位成面向芯片的前部面并与前部面间隔一定距离的保护晶片;被插入在芯片之间并位于在前部面的中心区域之外的芯片的前部面的区域上的固定装置,该固定装置包括粘合剂和包括在该粘合剂中的固体间隔元件;被布置在芯片和保护晶片之间,在芯片的前部面的中心区域之外的屏障阻挡件;以及围绕芯片、保护晶片和屏障阻挡件的包封环。所述固定装置可以是具有在彼此间隔一定距离处延伸的端部部分的环形焊道的形式,该环形焊道形成屏障阻挡件。所述固定装置可以是彼此间隔一定距离的滴液或区段的形式,并且屏障阻挡件是被布置在芯片和保护晶片之间的外围密闭环的形式。芯片可以包括位于芯片的前部面的区域中的传感器。所述传感器可以是光学传感器并且所述保护晶片是透明的。附图说明现将通过由附图所图示的非限定性示例的方式来描述电子器件,附图中:-图1表示包括芯片和保护晶片的电子器件的横截面;-图2表示沿着图1的II-II的、通过芯片和保护晶片之间的电子器件的平剖面;-图3至图5表示对应于图1的电子器件的制造步骤的装配的横截面;-图6表示包括芯片和保护晶片的电子器件的备选实施例的横截面;-图7表示图6的沿着VII-VII的、通过芯片和保护晶片之间的电子器件的平剖面;以及-图8至图11表示对应于图6的电子器件的制造步骤的装配的截面。具体实施方式如图1和图2所图示的,电子器件1包括,堆叠的支撑和电连接晶片2和集成电路芯片3,通过粘合剂薄层而被安装在支撑晶片2的前部面5上的背部面4。例如正方形的背部面4的表面积小于例如正方形的前部面5的表面积。芯片3被安装在支撑晶片2的中间,其外围边缘分别是平行的。在其前部面6的中心区域中,芯片3包括传感器7,例如,光学传感器。支撑晶片2被提供有电连接网络8。芯片3通过多个连接被布置在芯片3的前部面6的外围区域上的前部焊盘10和被布置在支撑晶片2的前部面5的外围区域上的、在芯片3的外围边缘和支撑晶片2的外围边缘之间的电连接网络8的前部焊盘11的电连接线9而被连接到该电连接网络8。此外,电子器件1包括保护晶片12,其通常是透明的且其被堆叠在芯片3上并通过固定装置13而被固定在与芯片3的前部面6间隔一定距离处。保护晶片12的外围边缘平行于芯片3的外围边缘,在包括了电连接焊盘10的芯片3的外围区域之内延伸。固定装置13与传感器7和在芯片3的前部面6的前部焊盘10之间并距与它们间隔一定距离地并且在保护晶片12的背部面14的外围区域上延伸,以使得芯片3的前部面6具有包括传感器7的中心区域15,面向并与保护晶片13的背部面14的中心区域16间隔一定距离地定位,而同时留出保留在这些区域15和16之间的自由空间。固定装置13包括形成支柱(strut)的粘合剂的环形焊道17,其以围绕芯片前部面的中心区域的开放环的形式延伸,并具有彼此相邻地且在彼此间隔一定距离处延伸的端部部分17a、17b,而同时留出保留在这些端部部分17a和17b之间的自由空间。粘合剂焊道17包括固体间隔元件19,例如玻璃或塑料珠。此外,电子器件1包括由涂覆材料制成的包封环20,其围绕芯片3和保护晶片12的外围边缘并在支撑晶片2的前部面5的外围区域上延伸,并且在包封环20中嵌入电连接线9。如以示例方式表示的,包封环20在芯片3和保护晶片20之间延伸,直到粘合剂焊道17并且可选的直到粘合剂焊道的部分17a和17b之间,但没有到达自由空间7a。因此,与此同时,作为固定装置,不连续的焊道17构成针对自由空间7a的屏障阻挡件。因而,自由空间7a被保护以免受特别是潮湿和固体颗粒的侵入,因此保护了传感器4。根据所表示的示例,包封环20具有在与保护晶片12的前部面22相同的平面中延伸的前部面21。支撑晶片2的外围边缘和包封块20的外围边缘可以彼此连续地延伸,垂直于支撑晶片2,以使得电子器件1是直角平行六面体的形式。支撑晶片2的背部面23可以设有放置在连接网络8的背部焊盘上的电连接元件24。参考图3至图5,现将描述制造电子器件1的方法。如图3所图示,通过共同制造的视图,提供了面板2A,其具有正方形矩阵形式的多个相邻位置E,相邻位置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造至少一个电子器件的方法,所述电子器件包括堆叠,所述堆叠包括支撑晶片(2)、集成电路芯片(3)和保护晶片,所述方法包括:将所述芯片(3)的背部面固定在所述支撑晶片(2)的前部面上,将固定装置(13,101)布置在所述芯片的所述前部面的位于该前部面的中心区域之外的区域上,所述固定装置包括可固化粘合剂(17,102)和包含在该粘合剂中的固体间隔元件(19,103),将保护晶片放置在所述固定装置上,使得通过所述固定装置在所述芯片和所述保护晶片之间保留自由空间(7a,105),并且在该自由空间和所述外部之间保留至少一个通道,将所述固定装置的所述粘合剂固化,以便将所述芯片和所述支撑晶片固定在一起,围绕所述芯片和所述保护芯片并在所述支撑晶片的所述前部面的外围区域上产生包封环(20,106),在所述方法中,在所述芯片和所述保护晶片之间进一步产生屏障阻挡件(17,104),以防止所述包封环的所述材料穿入所述自由空间。

【技术特征摘要】
2014.11.26 FR 14614711.一种用于制造至少一个电子器件的方法,所述电子器件包括
堆叠,所述堆叠包括支撑晶片(2)、集成电路芯片(3)和保护晶片,
所述方法包括:
将所述芯片(3)的背部面固定在所述支撑晶片(2)的前部面上,
将固定装置(13,101)布置在所述芯片的所述前部面的位于该
前部面的中心区域之外的区域上,所述固定装置包括可固化粘合剂
(17,102)和包含在该粘合剂中的固体间隔元件(19,103),
将保护晶片放置在所述固定装置上,使得通过所述固定装置在所
述芯片和所述保护晶片之间保留自由空间(7a,105),并且在该自由
空间和所述外部之间保留至少一个通道,
将所述固定装置的所述粘合剂固化,以便将所述芯片和所述支撑
晶片固定在一起,
围绕所述芯片和所述保护芯片并在所述支撑晶片的所述前部面
的外围区域上产生包封环(20,106),
在所述方法中,在所述芯片和所述保护晶片之间进一步产生屏障
阻挡件(17,104),以防止所述包封环的所述材料穿入所述自由空间。
2.根据权利要求1所述的方法,包括:将所述固定装置配置为
围绕所述中心区域并且具有处于彼此间隔一定距离处的端部部分
(17a,17b)的环形焊道的形式,以便在所述端部部分之间形成所述
通道,在所述粘合剂固化之后,所述环形焊道形成所述屏障阻挡件。
3.根据权利要求1所述的方法,包括:将所述固定装置配置为在
彼此间隔一定距离处的滴液或区段(102)的形式,以及包括:在所
述固定装置的粘合剂固化之后并且在产生所述包封环之前,在所述芯
片和所述保护晶片之间产生以中间外围密闭环形式的所述屏障阻挡
件(104)。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法,...

【专利技术属性】
技术研发人员:K·萨克斯奥德M·索里厄尔
申请(专利权)人:意法半导体格勒诺布尔二公司
类型:发明
国别省市:法国;FR

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