用于制造多个光电子器件的方法和光电子器件技术

提出一种用于制造多个光电子器件的方法，所述方法具有下述步骤：-提供具有接触结构(4)的辅助载体晶片(1)，其中辅助载体晶片具有玻璃、蓝宝石或半导体材料；-将多个发射辐射的半导体本体(5)施加到接触结构(4)上；-用囊封件(10)将至少一个接触结构(4)封装，并且-移除辅助载体晶片(1)。此外，提出一种光电子器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造多个光电子器件的方法和光电子器件
提出一种用于制造多个光电子器件的方法以及光电子器件。
技术介绍
用于制造多个光电子器件的方法和光电子器件例如在下面的参考文献中描述：WO2007/025515、WO2012/000943。
技术实现思路
应提出一种用于制造光电子器件的成本适当的方法。此外，应提出一种具有紧凑结构的光电子器件。所述目的通过用于制造多个光电子器件的方法来实现，其中所述方法具有下述步骤：-提供具有接触结构的辅助载体晶片，-将多个发射辐射的半导体本体施加到所述接触结构上，-将所述接触结构用进行机械稳定的材料封装，使得所述进行机械稳定的材料的表面与所述接触结构的表面齐平，其中所述进行机械稳定的材料是壳体材料，-将囊封件施加到通过所述接触结构和所述进行机械稳定的材料形成的表面上，使得所述囊封件与所述半导体本体的前侧齐平，并且-借助于激光剥离法移除所述辅助载体晶片；以及通过借助根据本专利技术的方法制造的光电子器件来实现。方法的或光电子器件的有利的改进方案和实施方式在从本文中给出。在用于制造多个光电子器件的方法中，提供具有接触结构的辅助载体晶片。辅助载体晶片优选具有玻璃、蓝宝石或半导体材料、例如硅。辅助载体晶片也能够由玻璃、蓝宝石或半导体材料、例如硅构成。多个发射辐射的半导体本体施加到接触结构上。发射辐射的半导体本体适合于：从辐射出射面发出第一波长范围的电磁辐射。至少接触结构由囊封件封装。辅助载体晶片优选从所形成的复合件中移除。尤其优选地，将辅助载体晶片完全从随后的器件的复合件中移除。方法利用下述思想：为了制造多个光电子器件，替代预制的壳体使用辅助载体晶片。辅助载体晶片在此通常随后不再包含在制成的器件中。辅助载体晶片用于在制造光电子器件期间机械稳定半导体本体。此外，各个用于制造光电子器件的方法步骤由于辅助载体晶片能够简单地以晶片级进行。由此，有利地，节约材料和工艺耗费并且制造方法的各个工艺步骤的整体优化是可行的。此外，各个生产单元、例如辅助载体晶片能够简单地缩放。此外，借助所提出的方法，实现制成的器件的尤其紧凑的和/或扁平的结构。紧凑的结构有利地引起半导体本体在制成的器件运行时的非常好的散热。此外，在所提出的方法中，有利地，能够放弃使用预制的导体框或陶瓷面板以用于半导体本体的机械稳定。在所提出的方法中，有利地也不需要使用贯通接触的硅面板。制成的器件尤其优选地不具有常规的壳体。接触结构尤其优选地用于随后电接触半导体本体。接触结构例如由各个接触结构元件构成，所述接触结构元件彼此电绝缘。尤其优选地，每个半导体本体与两个接触结构元件相关联。尤其，当每个随后的器件具有唯一的半导体本体时，每个单独的半导体本体优选地与刚好两个接触结构元件相关联。尤其优选地，每个半导体本体借助与其辐射出射面相对置的安装面导电地施加到接触结构元件上。半导体本体的辐射出射面在此通常是半导体本体的前侧的部分，然而所述部分能够具有子区域、例如焊盘，辐射不能够从所述子区域中射出。前侧与安装面相对置。例如，接触结构具有第一金属层和第二金属层，其中第二金属层电镀地沉积在第一金属层上。第一金属层尤其优选地具有在50纳米和500纳米之间的厚度，其中包括边界值。第一金属层例如能够具有下述材料中的一种材料或由下述材料中的一种材料构成：金、镍。第一金属层也称作为生长层(英语为：“Seed-Layer”种子层)。所述第一金属层不一定必须由唯一的层构成。更确切地说，也可行的是，第一金属层是由多个彼此不同的单层构成的层序列。例如，第一金属层能够包括金单层和镍单层或者由金单层或镍单层构成。第二金属层尤其优选地厚于第一金属层。第二金属层尤其优选地具有在10微米和100微米之间的厚度，其中包括边界值。第二金属层例如具有大约60微米的厚度。第二金属层尤其优选地具有下述材料中的一种或者由下述材料中的一种形成：银、金、镍、铜。第二金属层不一定必须由唯一的层构成。更确切地说，也可行的是，第二金属层是由多个彼此不同的单层构成的层序列。例如，第二金属层能够包括银单层和镍单层或者由银单层和镍单层构成。也可行的是，第二金属层包括金单层和镍单层或者由金单层和镍单层构成。此外，第二金属层能够包括镍单层、铜单层、另一个镍单层和银单层或者由这些单层构成。优选地，第二金属层在此具有以在上文中说明的顺序、即以镍-铜-镍-银的顺序的所述单层。银单层在此也能够通过金单层替换。尤其优选地，第二金属层具有带有底切的侧壁。例如，第二金属层的侧壁在子区域至少或在整个长度至少倾斜于第二金属层的主面的法线构成，其中第二金属层的横截面从朝向半导体本体的主面朝向背离半导体本体的主面渐缩。尤其优选地，囊封件以形状配合的方式包围半导体本体和接触结构。囊封件尤其优选地与半导体本体和接触结构构成共同的边界面。有利地，具有带有底切的侧壁的第二金属层有助于囊封件在随后的器件之内的更好的固定。根据方法的一个实施方式，除了发射辐射的半导体本体之外，将其他的有源元件、例如ESD二极管芯片(ESD在此表示“静电放电”)施加到辅助载体晶片上。例如，每个随后的器件能够具有ESD二极管芯片，所述ESD二极管芯片设为用于，保护器件免受过高的电压。根据方法的一个实施方式，囊封件构成为是反射性的和/或转换波长的。囊封件尤其优选地具有基体材料，例如环氧化物、硅树脂、聚邻苯二甲酰胺(PPA)、聚己内酰胺(PCT)或者至少两种所述材料的混合物。为了将囊封件构成为是反射性的，例如将反射性的颗粒嵌入到基体材料中。反射性的颗粒例如能够包含下述材料中的一种或由下述材料中的一种构成：氧化钛、锌白、例如氧化锌、铅白、例如碳酸铅。此外，对反射性的特性附加地或替选地，囊封件也能够构成为是转换波长的。转换波长的囊封件优选地适合于：将第一波长范围的电磁辐射转换成第二波长范围的电磁辐射。对此，例如将发光材料颗粒引入到囊封件的基体材料中，所述发光材料颗粒适合于，将第一波长范围的电磁辐射转换成第二波长范围的电磁辐射。换言之，发光材料颗粒优选地给予囊封件转换波长的特性。将“转换波长”在此尤其理解成将特定的波长范围的入射的电磁辐射转换成另外的、优选更长波长的波长范围的电磁辐射。尤其，在转换波长时，入射的波长范围的电磁辐射通过转换波长的元件吸收，通过原子和/或分子层面的电子过程转换成另一波长范围的电磁辐射并且再次发送。尤其，术语“转换波长”当前不表示电磁辐射的纯散射或纯吸收。发光材料颗粒例如能够具有一种下述材料或由一种下述材料构成：掺杂有稀土元素的石榴石、掺杂有稀土元素的碱土金属硫化物、掺杂有稀土元素的硫代镓酸盐、掺杂有稀土元素的铝酸盐、掺杂有稀土元素的硅酸盐、掺杂有稀土元素的正硅酸盐、掺杂有稀土元素的氯代硅酸盐、掺杂有稀土元素的碱土金属氮化硅、掺杂有稀土元素的氮氧化物、掺杂有稀土元素的氧氮化铝、掺杂有稀土元素的氮化硅、掺杂有稀土元素的塞隆(Sialone)。囊封件例如能够借助下述方法中的一种处理：浇注、滴涂、喷射、模塑。辅助载体晶片例如能够通过下述方法中的一种移除：激光剥离、刻蚀、研磨。通常，在此将辅助载体晶片从边界面移除，所述边界面部分地通过接触结构的表面并且部分地通过囊封件的表面形成。换言之，辅助载体晶片通常与接触结构并且与囊封件构成共同的边界面，所述边界面在移除本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造多个光电子器件的方法，所述方法具有下述步骤：‑提供具有接触结构(4)的辅助载体晶片(1)，其中所述辅助载体晶片具有玻璃、蓝宝石或半导体材料，‑将多个发射辐射的半导体本体(5)施加到所述接触结构(4)上，‑至少将所述接触结构(4)用囊封件(10)封装，并且‑移除所述辅助载体晶片(1)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.01.24 DE 102013100711.21.一种用于制造多个光电子器件的方法，所述方法具有下述步骤：-提供具有接触结构(4)的辅助载体晶片(1)，-将多个发射辐射的半导体本体(5)施加到所述接触结构(4)上，-将所述接触结构(4)用进行机械稳定的材料(16)封装，使得所述进行机械稳定的材料(16)的表面与所述接触结构(4)的表面齐平，其中所述进行机械稳定的材料(16)是壳体材料，-将囊封件(10)施加到通过所述接触结构(4)和所述进行机械稳定的材料(16)形成的表面上，使得所述囊封件(10)与所述半导体本体(5)的前侧齐平，并且-借助于激光剥离法移除所述辅助载体晶片(1)。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述接触结构(4)具有第一金属层(2)和第二金属层(3)，其中所述第二金属层(3)电镀地沉积在所述第一金属层(2)上。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二金属层(3)具有带有底切的侧壁。4.根据权利要求1或2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：托尼·阿尔布雷希特，托马斯·施勒雷特，艾伯特·施奈德，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE