【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式和实施例涉及微电子学领域，具体是集成电路的封装领域，更具体地，涉及包括具有“倒装芯片”类型安装的集成电路的封装件。
技术介绍
1、一种旨在倒装安装在载体衬底的一个表面(通常是上表面)上的电子芯片，包括装备有突出元件(通常是导电凸块)的正面和与正面相对的背面。
2、在“倒装芯片”类型的安装中，芯片正面的凸块被焊接到载体衬底的上表面的接触焊盘上。
3、具有大尺寸芯片的“倒装芯片”类型的器件由于在这些器件的制造过程中产生的机械应力而受到损坏。事实上，由于芯片和载体衬底之间的热膨胀系数不同，包括加热/冷却步骤的制造流程会产生已知的故障，例如银纹、裂纹、分层。
4、用于防止这种故障的现有解决方案基于一组特定的材料(例如，使用本领域技术人员已知的名为“underfill”的填充材料)或激光辅助接合(lab)。
5、然而，这种选择昂贵或不够有效。
6、因此，需要提出一种更令人满意的解决方案，用于在包括倒装芯片的封装件的制造过程中最小化甚至消除这些故障。
【技术保护点】
1.一种集成电路封装件，包括：
2.根据权利要求1所述的封装件，其中所述第一形状记忆材料是导热的。
3.根据权利要求1所述的封装件，其中所述至少一个电子集成电路芯片的第一面与所述支撑衬底的第一面之间的空间没有填充材料。
4.根据权利要求1所述的封装件，其中所述至少一个电子集成电路芯片的第一面与所述支撑衬底的第一面之间的空间没有粘合材料。
5.根据权利要求1所述的封装件，其中所述第一形状记忆材料具有包括在40℃和100℃之间的向奥氏体状态转变结束时的温度。
6.根据权利要求1所述的封装件，其中所述第一形状记忆材
【技术特征摘要】
1.一种集成电路封装件，包括：
2.根据权利要求1所述的封装件，其中所述第一形状记忆材料是导热的。
3.根据权利要求1所述的封装件，其中所述至少一个电子集成电路芯片的第一面与所述支撑衬底的第一面之间的空间没有填充材料。
4.根据权利要求1所述的封装件，其中所述至少一个电子集成电路芯片的第一面与所述支撑衬底的第一面之间的空间没有粘合材料。
5.根据权利要求1所述的封装件，其中所述第一形状记忆材料具有包括在40℃和100℃之间的向奥氏体状态转变结束时的温度。
6.根据权利要求1所述的封装件，其中所述第一形状记忆材料包含镍钛合金。
7.根据权利要求6所述的封装件，其中所述第一形状记忆材料包含第一量的无孔镍钛合金和第二量的多孔镍钛合金。
8.根据权利要求7所述的封装件，其中所述第二量小于或等于镍钛合金总量的10％。
9.根据权利要求7所述的封装件，其中所述多孔镍钛合金具有包括在10gpa与100gpa之间的弹性模量。
10.根据权利要求6所述的封装件，其中所述第一形状记忆材料包含的铜的量小于或等于所述第一形状记忆材料的总量的5％。
11.根据权利要求1所述的封装件，其中所述第一形状记忆材料被定位于所述导电突出元件的远端与所述导电接触焊盘的表面之间。
12.根据权利要求1所述的封装件，其中所述至少一个电子集成电路芯片的第二面与所述盖之间的空间被填充有第二形状记忆材料。
13.根据权利要求12所述的封装件，其中所述第二形状记忆材料是导热的。
14.根据权利要求13所述的封装件，其中所述第一形状记忆材料和所述第二形状记忆材料相同。
15.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：R·科菲，Y·博塔勒布，
申请(专利权)人：意法半导体格勒诺布尔二公司，
类型：发明
国别省市：
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