半导体封装制造技术

提供了一种半导体封装。该半导体封装包括：再分布结构，该再分布结构包括多个再分布导电图案、连接到所述多个再分布导电图案中的至少一个的多个导电通路、连接到所述多个导电通路的多个下焊盘、以及与所述多个再分布导电图案交替的多个再分布绝缘层；布置在再分布结构上的半导体芯片；以及附接到再分布结构的所述多个下焊盘的外部连接端子，其中所述多个再分布导电图案中的每个包括含铜的金属层、和布置在金属层的上表面上并包含铜和镍的表层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术构思涉及半导体封装和/或其制造方法，更尤其涉及扇出半导体封装和/或其制造方法。

技术介绍

1、随着电子工业的快速发展和用户的需求，电子装置变得越来越小，越来越轻。因此，需要作为电子装置的核心部件的半导体器件高度集成。此外，随着移动产品发展，还要求小型化和多功能化。

技术实现思路

1、本专利技术构思提供了一种半导体封装，其具有再分布结构的改进的可靠性。

2、本专利技术构思提供了一种制造半导体封装的方法，其能够简化形成再分布结构的过程。

3、根据本专利技术构思的一方面，提供了一种半导体封装，该半导体封装包括：再分布结构，该再分布结构包括多个再分布导电图案、连接到所述多个再分布导电图案中的至少一个的多个导电通路、连接到所述多个导电通路的多个下焊盘、以及与所述多个再分布导电图案交替的多个再分布绝缘层；在再分布结构上的半导体芯片；以及附接到再分布结构的所述多个下焊盘的外部连接端子，其中所述多个再分布导电图案中的每个包括含铜的金属层、以及在金属层的上表面上并包含铜和镍的表层(skin l本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体封装，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述表层包括Cu1-xNix，其中x为0.2至0.8。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中

4.根据权利要求3所述的半导体封装，其中

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中

6.根据权利要求5所述的半导体封装，其中

7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述表层具有150埃至300埃的厚度。

8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述多个再分布绝缘层包括光成像电介质材料。

9.一种半导体封装，包括：

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【技术特征摘要】

1.一种半导体封装，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述表层包括cu1-xnix，其中x为0.2至0.8。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中

4.根据权利要求3所述的半导体封装，其中

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中

6.根据权利要求5所述的半导体封装，其中

7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述表层具有150埃至300埃的厚度。

8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述多个再分布绝缘层包括光成像电介质材料。

9.一种半导体封装，包括：

10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中

11.根据权利要求9所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜圭浩，朴亨俊，裵晟训，吴常赫，郑光玉，崔朱逸，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：

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