【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及磁传感器，并且更具体地涉及对磁阻传感器的灵敏度漂移的补偿。
技术介绍
1、磁阻效应是描述施加外部磁场时材料电阻变化的所有效应。这些特别包括各向异性磁阻效应(amr效应)、巨磁阻效应(gmr效应)、巨磁阻效应(cmr效应)、隧道磁阻(tmr效应)和平面霍尔效应。各种磁阻电阻器在下文中也统称为xmr电阻器。
2、xmr传感器通常以半桥或全桥电路的形式实现，其中后者能够提供差分传感器信号。线性xmr传感器电桥可能会遭受由机械应力(寿命期间的稳定性问题)、温度变化和/或不完整的温度补偿引起的敏感度漂移(灵敏度漂移)。技术分散度有时也很高，应该予以微调。众所周知，可以根据温度微调传感器灵敏度，但这并不能解决漂移问题。
3、先前的应力补偿方法基于应力传感器与芯片上磁场传感器的灵敏度之间的已知相关性。这种相关性用于补偿漂移(由于机械应力变化)。但现在存在不同的应力组成部分：
4、-来自芯片几何形状x和y方向上的总和的应力，
5、-应力差，
6、-剪应力，
7、-垂...
【技术保护点】
1.一种磁传感器装置(100；200)，包括
2.根据权利要求1所述的磁传感器装置(100；200；300；400；500；600)，其中所述磁场传感器电路(120)包括霍尔传感器。
3.根据权利要求1所述的磁传感器装置(100；200；300；400；500；600)，其中所述磁场传感器电路(120)包括xMR传感器。
4.根据前述权利要求中任一项所述的磁传感器装置(100；200；300；400；500；600)，其中所述磁场生成电路(110)具有用于电励磁电流的电流导体(212)，并且其中所述电流导体(212)和所述磁场传感器...
【技术特征摘要】
1.一种磁传感器装置(100；200)，包括
2.根据权利要求1所述的磁传感器装置(100；200；300；400；500；600)，其中所述磁场传感器电路(120)包括霍尔传感器。
3.根据权利要求1所述的磁传感器装置(100；200；300；400；500；600)，其中所述磁场传感器电路(120)包括xmr传感器。
4.根据前述权利要求中任一项所述的磁传感器装置(100；200；300；400；500；600)，其中所述磁场生成电路(110)具有用于电励磁电流的电流导体(212)，并且其中所述电流导体(212)和所述磁场传感器电路(120)布置在公共芯片上。
5.根据前述权利要求中任一项所述的磁传感器装置(100；200；300；400；500；600)，其中所述磁场生成电路(110)被设计为根据伪随机导频信号生成所述磁场(112)。
6.根据权利要求5所述的磁传感器装置(100；200；300；400；500；600)，还包括
7.根据权利要求5或6所述的磁传感器装置(100；200；300；400；500；600)，其中所述伪随机导频信号是n位数字信号，其中n≥1。
8.根据权利要求6或7所述的磁传感器装置(100；200)，其中所述去除电路(230)包括用于所述伪随机导频信号的n位dac(232)，并且所述去除电路被设计为从所述放大传感器信号(132)中减去所述n位dac的输出信号，其中n对应于所述伪随机导频信号的位数。
9.根据前述权利要求中任一项所述的磁传感器装置(100；200；300；400；500；600)，还包括
10.根据权利要求9所述的磁传感器装置(100；200；300；400；500；600)，其中所述带隙参考电路具有与机械应力无关的电阻，以生成与机械应力无关的励磁电流。
11.根据前述权利要求中任一项所述的磁传感器装置(100；200；300；400；500；600)，其中所述调节电路(140)具有差分放大器，所述差分放大器被设计为基于所述放大信号幅度与所述目标幅度(144)之间的...
【专利技术属性】
技术研发人员：E·M·莫特兹，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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