半导体装置、半导体装置的制造方法及电力变换装置制造方法及图纸

提供能够抑制能量损耗恶化的半导体装置及其制造方法。还涉及电力变换装置。半导体装置的特征在于具有：第1导电型的漂移层，其设置于具有第1主面和与所述第1主面相对的第2主面的半导体基板的所述第1主面和所述第2主面之间；以及第1导电型的场阻断层，其具有比所述漂移层的杂质浓度高的杂质浓度，设置于所述漂移层与所述第2主面之间，所述场阻断层从所述第2主面朝向所述第1主面在室温下的实质的载流子浓度分布中具有至少大于或等于1个峰值，在氢原子浓度的分布中具有至少大于或等于2个峰值，所述氢原子浓度的分布中的峰值的数量比所述实质的载流子浓度分布中的峰值的数量多。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置、半导体装置的制造方法及电力变换装置。

技术介绍

1、近年来，从节能的观点出发，在电力铁道领域、车载领域、工业机械领域或民用设备领域等中，需要能量损耗低的半导体装置。例如，将半导体晶片的厚度薄化能够与薄化相应地降低电阻，因此在抑制半导体装置的能量损耗方面是有效的。但是，在将半导体晶片薄化的情况下，耗尽层容易到达半导体晶片的背面而产生耐压降低、泄漏电流增大。因此，在专利文献1中提出了通过在半导体晶片的背面侧形成杂质浓度比漂移层高的缓冲层，能够平缓地阻止耗尽层的半导体装置。

2、专利文献1：国际公开2013-089256公报

3、但是，在专利文献1的半导体装置中，在使用高氧杂质浓度的晶片时存在能量损耗恶化的问题。

技术实现思路

1、本专利技术就是为了解决上述问题而提出的，其目的在于，提供对含有任何浓度的氧杂质的晶片都形成固定工艺、构造的场阻断层，能够对能量损耗恶化进行抑制的半导体装置及其制造方法。

2、本专利技术涉及的半导体装置具有：第1导电型的漂移层，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求2至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求2至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫田祐辅，铃木健司，原口友树，南竹春彦，星泰晖，纐缬英典，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：