用于多裸片存储器装置的字线驱动器制造方法及图纸

技术编号:40551423 阅读:22 留言:0更新日期:2024-03-05 19:10
本申请涉及用于多裸片存储器装置的字线驱动器。存储器装置可包含至少与所述存储器装置的存储器单元和对应存取线相关联的第一半导体裸片,和至少与所述存储器装置的存取线驱动器电路系统相关联的第二半导体裸片。所述第二半导体裸片可定位成与所述第一半导体裸片接触或以其它方式邻近于所述第一半导体裸片,且电触点可形成为使所述第二半导体裸片的所述存取线驱动器电路系统与所述第一半导体裸片的所述存取线导体耦合。举例来说,空腔可穿过所述第二半导体裸片和所述第一半导体裸片的至少一部分形成,且所述电触点可至少部分地由在所述空腔中形成导电材料而形成于所述半导体裸片之间。

【技术实现步骤摘要】

涉及用于多裸片存储器装置的字线驱动器


技术介绍

1、存储器装置广泛地用于将信息存储在例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。例如,二进制存储器单元可编程为两个支持状态中的一个,经常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中,单个存储器单元可支持多于两个状态,其中的任一状态可存储。为存取所存储信息,组件可读取(例如,感测、检测、检索、识别、确定、评估)存储器装置中的所存储状态。为存储信息,组件可在存储器装置中写入(例如,编程、设置、指派)状态。

2、存在各种类型的存储器装置,包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选存储器、硫族化物存储器技术、“或非”(nor)和“与非”(nand)存储器装置等。可根据易失性配置或非易失性配置描述存储器单元。以非易失性配置而配本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种设备,其包括:

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述多个电触点中的每一电触点延伸穿过所述第二半导体裸片的结晶衬底。

3.根据权利要求1所述的设备,其中所述多个字线驱动器电路中的每一字线驱动器电路包括:

4.根据权利要求3所述的设备,其中所述字线选择电压源输出针对所述多个字线导体的相应子集进行解码的字线选择电压。

5.根据权利要求4所述的设备,其中所述第二半导体裸片包括能够操作以输出所述多个第一字线解码器信号和经解码字线选择电压的字线解码器。

6.根据权利要求3所述的设备,其中:

7.根据权利要求3所述的设备...

【技术特征摘要】

1.一种设备,其包括:

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述多个电触点中的每一电触点延伸穿过所述第二半导体裸片的结晶衬底。

3.根据权利要求1所述的设备,其中所述多个字线驱动器电路中的每一字线驱动器电路包括:

4.根据权利要求3所述的设备,其中所述字线选择电压源输出针对所述多个字线导体的相应子集进行解码的字线选择电压。

5.根据权利要求4所述的设备,其中所述第二半导体裸片包括能够操作以输出所述多个第一字线解码器信号和经解码字线选择电压的字线解码器。

6.根据权利要求3所述的设备,其中:

7.根据权利要求3所述的设备,其中:

8.根据权利要求3所述的设备,其中所述第一沟道部分和所述第二沟道部分各自包括所述第二半导体裸片的结晶衬底的相应掺杂部分。

9.根据权利要求3所述的设备,其中所述多个字线驱动器电路的所述第一沟道部分和所述第二沟道部分与同一晶体管沟道类型相关联。

10.根据权利要求3所述的设备,其中对于所述多个字线驱动器电路中的每一字线驱动器电路,所述第一栅极部分和所述第二栅极部分具有沿着远离所述第二半导体裸片的衬底的方向的至少部分地重叠的相应延伸部。

11.根据权利要求3所述的设备,其中对于所述多个字线驱动器电路中的多个字线驱动器电路的集合,相应第一栅极部分由栅极材料的连续第一部分形成,且相应第二栅极部分由所述栅极材料的连续第二部分形成。

12.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:F·A·席赛克·艾吉崔铭栋
申请(专利权)人:美光科技公司
类型:发明
国别省市:

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