晶片的加工方法技术

本发明专利技术提供晶片的加工方法，将晶片贴合于支承基板而提高晶片的平坦性。具有正面和与该正面相对的背面的晶片的加工方法具有如下步骤：准备步骤，准备具有支承该晶片的支承面的支承基板；亲水化步骤，对该晶片的该正面或该支承基板的该支承面的一方或双方实施亲水化处理；接合步骤，在该亲水化步骤之后，使该晶片的该正面与该支承基板的该支承面面对而接合，形成接合晶片；第1加热步骤，将该接合晶片加热至第1温度；加工步骤，在该第1加热步骤之后，对该接合晶片所包含的该晶片从该背面侧进行加工；第2加热步骤，在该加工步骤之后，将该接合晶片加热至比该第1温度高的第2温度；和剥离步骤，在该第2加热步骤之后将该晶片从该支承基板剥离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶片的加工方法，将正面侧形成有多个器件的晶片贴合于支承基板，对贴合于支承基板的晶片进行加工，并将加工后的晶片从支承基板剥离。

技术介绍

1、ic(integrated circuit：集成电路)等器件芯片是在移动电话和个人计算机等各种电子设备中不可缺少的结构要素。这样的芯片例如通过将正面侧形成有多个器件的晶片磨削至期望的厚度之后沿着多个器件的边界形成贯通晶片的分割槽而制造。

2、近年来，为了芯片的高容量化和小型化，实现了将dram(dynamic random accessmemory：动态随机存取存储器)等多个芯片层叠而一体化的技术。在该技术中，要求层叠的各芯片预先薄化至10μm以下的厚度，但薄化至这样的厚度后的晶片的处理并不容易。因此，采用如下的方法(参照专利文献1)：利用后续能够剥离的粘接材料将支承基板贴合在薄化前的晶片上。

3、另外，随着晶片的薄化的深入化，还要求薄化后的晶片的厚度的均匀性、平坦度(ttv：total thickness valuation，总厚度估值)的提升。具体而言，对于薄化至厚度10μm的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶片的加工方法，该晶片具有正面和与该正面相对的背面，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的晶片的加工方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，

【技术特征摘要】

1.一种晶片的加工方法，该晶片具有正面和与该正面相对的背面，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：寺西俊辅，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：