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本发明提供晶片的加工方法，将晶片贴合于支承基板而提高晶片的平坦性。具有正面和与该正面相对的背面的晶片的加工方法具有如下步骤：准备步骤，准备具有支承该晶片的支承面的支承基板；亲水化步骤，对该晶片的该正面或该支承基板的该支承面的一方或双方实施亲...
该专利属于株式会社迪思科所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社迪思科授权不得商用。

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