本申请涉及半导体导电柱装置和方法。本文公开了包含堆叠裸片装置和系统的设备和方法。示例堆叠裸片装置和方法包含互连柱阵列，所述互连柱阵列包含多于一个柱高度。示例堆叠裸片装置和方法包含互连柱阵列，所述互连柱阵列包含映射到已知翘曲轮廓的柱高度分布。
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体；具体地说，涉及半导体导电柱装置和方法。
技术介绍
1、存储器装置是为主机系统(例如，计算机或其它电子装置)提供数据的电子存储的半导体电路。存储器装置可为易失性或非易失性的。易失性存储器需要电力来维护数据，并且包含例如随机存取存储器(ram)、静态随机存取存储器(sram)、动态随机存取存储器(dram)或同步动态随机存取存储器(sdram)等装置。非易失性存储器可在未被供电时保持所存储数据，并且包含例如快闪存储器、只读存储器(rom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、可擦除可编程rom(eprom)、电阻可变存储器等装置，所述电阻可变存储器例如为相变随机存取存储器(pcram)、电阻式随机存取存储器(rram)或磁阻式随机存取存储器(mram)等。
2、主机系统通常包含主机处理器、用以支持主机处理器的第一量的主存储器(例如，通常为易失性存储器，诸如dram)，以及作为主存储器的补充或与主存储器分离的提供额外存储装置来保持数据的一或多个存储系统(例如，通常为非易失性存储器，诸如快闪存储器)。
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【技术保护点】
1.一种半导体装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述互连柱阵列包含邻近所述裸片的外围较高且在所述裸片的内部较短的柱。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中柱高度分布被映射到所述第一裸片或所述第二裸片的已知翘曲轮廓。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中柱高度分布被映射到将所述第一裸片的翘曲与所述第二裸片的翘曲进行组合的已知翘曲轮廓。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述互连柱阵列包含从所述第一裸片向下延伸和从所述第二裸片向上延伸的柱，并且其中向下延伸的柱的高度和向上延伸的柱的高度彼此互补。
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【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述互连柱阵列包含邻近所述裸片的外围较高且在所述裸片的内部较短的柱。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中柱高度分布被映射到所述第一裸片或所述第二裸片的已知翘曲轮廓。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中柱高度分布被映射到将所述第一裸片的翘曲与所述第二裸片的翘曲进行组合的已知翘曲轮廓。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述互连柱阵列包含从所述第一裸片向下延伸和从所述第二裸片向上延伸的柱，并且其中向下延伸的柱的高度和向上延伸的柱的高度彼此互补。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述互连柱阵列包含铜。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述互连柱阵列包含铜上的镍。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述互连柱阵列包含焊料。
9.一种半导体装置，其包括：
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中柱高度布置在所述堆叠中的裸片之间的至少两个不同接口之间是不同的。
11.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：山口秀范，川北惠三，徐邦宁，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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