【技术实现步骤摘要】
本公开的示例性实施例涉及一种图像传感器。
技术介绍
1、图像传感器可捕获对象的二维图像或三维图像。图像传感器可利用响应于从对象反射的光的强度起作用的光电转换元件来生成对象的图像。随着互补金属氧化物半导体(cmos)技术的近期发展，利用cmos的cmos图像传感器得到广泛使用。近来，为增大图像传感器的动态范围，开发了在像素中增加电容器的技术。
技术实现思路
1、本公开的示例性实施例提供了一种可解决由引入电容器在处理中导致的问题并且可提高可靠性的图像传感器。
2、根据本公开的示例性实施例，一种图像传感器包括：第一半导体芯片，其包括具有其中布置有多个像素的像素阵列的第一半导体衬底和设置在第一半导体衬底上的第一布线结构，多个像素中的每一个包括彼此隔离的第一光电二极管和第二光电二极管；第二半导体芯片，其包括设置在第一布线结构上并且具有电容器的第二布线结构以及设置在第二布线结构上的第二半导体衬底；以及第三半导体芯片，其包括设置在第二半导体芯片上的第三布线结构和设置在第三布线结构上并且其上形成有逻辑装置的第三半导体衬底，其中，多个像素中的每一个包括在第一光电二极管上的存储由第一光电二极管生成的电荷的第一浮置扩散节点、在第二光电二极管上的存储由第二光电二极管生成的电荷的第二浮置扩散节点、在第二光电二极管上的设置在第一浮置扩散节点与第二浮置扩散节点之间的第三浮置扩散节点、以及形成在第二半导体衬底的下表面上的第一开关晶体管，并且其中，第一开关晶体管具有通过第一布线结构和第二布线结构的第一路
3、根据本公开的另一示例性实施例，一种图像传感器包括：像素阵列芯片，其包括具有其中布置有多个像素的像素阵列的第一半导体衬底和设置在第一半导体衬底上的第一布线结构，多个像素中的每一个包括彼此隔离的第一光电二极管和第二光电二极管；存储器芯片，其包括设置在第一布线结构上并且具有电容器的第二布线结构和设置在第二布线结构上的第二半导体衬底；以及逻辑芯片，其具有设置在存储器芯片上的第三布线结构和设置在第三布线结构上并且其上形成有逻辑装置的第三半导体衬底，其中，多个像素中的每一个包括：在第一光电二极管上的第一浮置扩散节点，其被配置为存储由第一光电二极管生成的电荷；在第二光电二极管上的第二浮置扩散节点，其被配置为存储由第二光电二极管生成的电荷；第一开关晶体管，其形成在第二半导体衬底的下表面上并且具有通过第一布线结构和第二布线结构的第一路径连接至第一浮置扩散节点的第一端；第二开关晶体管，其形成在第二半导体衬底的下表面上并且具有通过第一布线结构和第二布线结构的第二路径连接至第二浮置扩散节点的第一端；以及第三浮置扩散节点，其形成在第二半导体衬底的下表面上并且连接在第一开关晶体管的第二端与第二开关晶体管的第二端之间。
4、根据本公开的另一示例性实施例，一种图像传感器包括：第一半导体芯片，其包括具有其中布置有多个像素的像素阵列的第一半导体衬底和设置在第一半导体衬底上的第一布线结构，多个像素中的每一个包括彼此隔离的第一光电二极管和第二光电二极管；以及第二半导体芯片，其包括设置在第一布线结构上并且具有电容器的第二布线结构和设置在第二布线结构上的第二半导体衬底，其中，第一布线结构包括设置在第一布线结构的最上面部分上的第一接合绝缘层和第一接合绝缘层中的第一金属焊盘，第二布线结构包括设置在第二布线结构的最下面部分中并且接触第一接合绝缘层的第二接合绝缘层以及第二接合绝缘层中的连接至第一金属焊盘的第二金属焊盘，并且第一金属焊盘与第二金属焊盘之间的连接为第一布线结构和第二布线结构提供电路径，其中，多个像素中的每一个包括：第一光电二极管上的第一浮置扩散节点，其被配置为存储由第一光电二极管生成的电荷；第二光电二极管上的第二浮置扩散节点，其被配置为存储由第二光电二极管生成的电荷；第三浮置扩散节点，其在第二光电二极管上设置在第一浮置扩散节点与第二浮置扩散节点之间；以及第一开关晶体管，其形成在第二半导体衬底的下表面上，并且其中，第一开关晶体管具有通过第一布线结构和第二布线结构的第一路径连接至第一浮置扩散节点的第一端和通过第一布线结构和第二布线结构的第二路径连接至第三浮置扩散节点的第二端。
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1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第二光电二极管的面积大于所述第一光电二极管的面积。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，
4.根据权利要求1所述的图像传感器，
5.根据权利要求4所述的图像传感器，
6.根据权利要求5所述的图像传感器，其中，所述重置晶体管、所述源极跟随器晶体管和所述选择晶体管中的至少一个形成在所述第二半导体衬底的下表面上。
7.根据权利要求5所述的图像传感器，其中，所述电容器包括连接至所述第一浮置扩散节点的第一电极和被施加电容器电压的第二电极。
8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中，通过所述像素电压提供所述电容器电压。
9.根据权利要求1所述的图像传感器，
10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，所述第一电极和所述第二电极中的至少一个包括钨，并且所述第一布线层包括铜。
11.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，所述电容器具有圆柱体结构。
12.根据权利要求1所述的图像传感器，
...【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第二光电二极管的面积大于所述第一光电二极管的面积。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，
4.根据权利要求1所述的图像传感器，
5.根据权利要求4所述的图像传感器，
6.根据权利要求5所述的图像传感器，其中，所述重置晶体管、所述源极跟随器晶体管和所述选择晶体管中的至少一个形成在所述第二半导体衬底的下表面上。
7.根据权利要求5所述的图像传感器，其中，所述电容器包括连接至所述第一浮置扩散节点的第一电极和被施加电容器电压的第二电极。
8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中，通过所述像素电压提供所述电容器电压。
9.根据权利要求1所述的图像传感器，
10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，所述第一电极和所述第二电极中的至少一个包括钨，并且所述第一布线层包括铜。
11.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，所述电容器具有圆柱体结构。
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