【技术实现步骤摘要】
用于集成电路的封装件,例如光学封装件
[0001]优先权声明
[0002]本申请要求2022年6月8日提交的法国专利申请第2205475号的优先权,其内容在法律允许的最大范围内通过引用全文并入本申请。
[0003]实施例和实现方式涉及微电子学领域,特别是集成电路的封装领域,并且更具体地涉及集成电路封装件,例如集成电路光学封装件,其旨在相对于印刷电路板偏移并通过柔性连接器电连接到印刷电路板,柔性连接器也被本领域技术人员称为“柔性件”。
技术介绍
[0004]这种柔性连接元件或连接器是本领域技术人员公知的,并且通常包括一个或多个层上的金属轨道网,该金属轨道网由绝缘树脂相互电绝缘并旨在路由电信号。
[0005]本领域技术人员可以任选地参考关于这种柔性连接器的文章,标题为“柔性电子器件(Flexible electronics)”,可在因特网上获得(en.wikipedia.org/wiki/Flexible_electronics)。
[0006]这种连接器的结构(特别是其非常低的厚度)在其上赋予了很大的柔性,从而使得可以很大程度地扭转它,任选地以可高达180
°
的角度扭转它。
[0007]此外,对于某些类型的封装件,例如光学封装件(即,那些包括至少一个光学器件的封装件),证明有必要提供包括用于在其中容纳该光学器件或多个光学器件的腔的支撑衬底。
[0008]目前,使用由陶瓷制成的支撑衬底,允许容易地制造腔。
[0009]然而,这种支撑衬底是昂贵的,并 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种集成电路封装件,包括:第一多层支撑衬底;第二多层支撑衬底;柔性电连接元件,夹在所述第一多层支撑衬底的第一面与所述第二多层支撑衬底的第二面之间;所述柔性电连接元件包括相对于所述第一多层支撑衬底和所述第二多层支撑衬底横向突出的部分;所述柔性电连接元件与所述第一多层支撑衬底和所述第二多层支撑衬底中的至少一个多层支撑衬底电接触;所述柔性电连接元件和所述第一多层支撑衬底在第一区域中分别包括两个第一相互面对的孔,所述两个第一相互面对的孔共同限定由所述第二多层支撑衬底的所述第二面的第一部分至少部分封闭的第一腔;第一部件,位于所述第一腔中,附接在所述第二多层衬底的所述第二面的所述第一部分上,并且通过所述第二多层支撑衬底与所述柔性电连接元件电接触。2.根据权利要求1所述的封装件,其中所述柔性电连接元件包括电绝缘层内的至少一个导电层,其中每个多层支撑衬底包括电绝缘层内的至少一个导电层,并且其中所述第一多层支撑衬底和所述第二多层支撑衬底中的至少一个多层支撑衬底在所述第一腔外局部地包括至少一个导电柱,所述至少一个导电柱具有与所述第一多层支撑衬底和所述第二多层支撑衬底中的所述至少一个多层支撑衬底的所述至少一个导电层接触的第一端并且具有与所述柔性电连接元件的所述至少一个导电层局部电耦合的第二端。3.根据权利要求1所述的封装件,其中所述柔性电连接元件包括电绝缘层内的一个或多个导电层,其中每个多层支撑衬底包括电绝缘层内的至少一个导电层,并且其中所述第一多层支撑衬底和所述第二多层支撑衬底中的每个多层支撑衬底在所述第一腔之外局部地包括至少一个导电柱,所述至少一个导电柱具有与相应的所述第一多层支撑衬底和第二多层支撑衬底的所述至少一个导电层接触的第一端并且具有与所述柔性电连接元件的一个或多个导电层局部电耦合的第二端。4.根据权利要求1所述的封装件,还包括在所述第一多层支撑衬底和所述第二多层支撑衬底中的每个多层支撑衬底与所述柔性电连接元件之间的电绝缘填充层。5.根据权利要求1所述的封装件,其中所述第一部件包括电子集成电路芯片。6.根据权利要求1所述的封装件,其中所述第二多层支撑衬底在所述第一区域中包括第一通孔,所述第一通孔具有在所述第一腔中出现的面向所述第一部件的第一端。7.根据权利要求6所述的封装件,其中所述第一部件包括与所述第一通孔的所述第一端光耦合的第一光学器件。8.根据权利要求7所述的封装件,包括封闭所述第一通孔的第二端的第一光学透明元件。9.根据权利要求1所述的封装件,还包括在所述第一区域处的第一盖,所述第一盖位于所述第二多层支撑衬底上并且在所述第一腔上方限定第一壳体。10.根据权利要求9所述的封装件,其中所述第二多层支撑衬底在所述第一区域中包括第一通孔,所述第一通孔具有在所述第一腔中出现的面向所述第一部件的第一端,并且其
中所述第一盖具有面向所述第一通孔的第一开口。11.根据权利要求10所述的封装件,其中所述第一部件包括与所述第一通孔的所述第一端光耦合的第一光学器件,并且还包括在所述第一壳体中与所述第一开口和所述第一光学器件光耦合的至少一个第一辅助光学元件。12.根据权利要求1所述的封装件,其中所述柔性电连接元件和所述第一多层支撑衬底在所述封装件的第二区域中分别包括两个第二...
【专利技术属性】
技术研发人员:R,
申请(专利权)人:意法半导体格勒诺布尔二公司,
类型:发明
国别省市:
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