光电子器件和用于制造光电子器件的方法技术

在不同的实施例中提供一种光电子器件（10）。该光电子器件（10）具有载体（12）。在载体（12）上构造有第一电极（20）。有机功能层结构（22）在第一电极（20）上构造。第二电极（23）在有机功能层结构（22）上构造。封装层结构（24）在第二电极（23）上构造。封装层结构（24）封装有机功能层结构（22）。封装层结构（24）具有朝向第二电极（23）的第一层结构（41）和背向第二电极（23）的第二层结构（44）。第一层结构（41）交替地具有拥有第一膨胀系数的第一层（40）和拥有第二膨胀系数的第二层（44）。第一膨胀系数不等于第二膨胀系数。第二层结构（44）交替地具有拥有第三膨胀系数的第三层和拥有第四膨胀系数的第四层。第四膨胀系数不等于第三膨胀系数。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光电子器件和一种用于制造光电子器件的方法。
技术介绍
有机基础上的光电子器件、例如有机发光二极管（organiclightemittingdiode-OLED）增加流行地应用于通用照明，例如作为面光源。OLED可以具有阳极和阴极连同其间的有机功能层系统。该面光源的有机层在较新的方法中借助阴极上的薄膜层必要时相对于空气和湿气密封地屏蔽，其中对于大约10年的运行时长通常要求10-6g/m2/d或更小的透水性。同时，这样的薄膜层应该良好地粘附在阴极上。因此在制造过程中和/或后力求各个层之间的尽可能小的张力差，以便避免金属化部或薄膜层中的分离或微裂纹，这又减小耐储存性。张力差例如可以由于在制造过程期间占主导的和变化的温度而形成。如果两层之间的张力差变得过大，则过高的张力一方面直接在界面处不利地作用。另一方面，在以相应层的厚度的所存在的张力的情况下，由此在层中和层之间所存储的能量增大，使得在超过确定的层厚的情况下能够形成裂纹。第一情况归因于第二情况。另一个问题是由于在制造方法期间到达层中的颗粒为了达到确定的耐储存性应该实现薄膜结构的最小厚度，但是这由于层中的张力又可以导致裂纹的形成进而导致耐储存性的减小。为了解决前述问题，例如可以借助CVD方法构造张力补偿的层序列以用于提高封装层结构（TFE）的鲁棒性。这样的封装此外在SiNC层序列系统中已知，但是所述SiNC层序列系统仅仅实现10-4g/m2/d的最小透水性并且因此通常不满足OLED要求。阴极和/或薄膜层的所要求的机械稳定性可以通过具有层序列SiN/AlOx/TiOx的封装层结构来实现。但是，在此阴极的分离通过阴极和/或封装层结构的张力是可能的。所要求的密封性可以由此被实现，但是相对于颗粒的鲁棒性仅仅是中等的。另一个方案是构造厚的CVD层。这导致高的耐储存性。但是对于层分离的风险在没有张力补偿的情况下增大。虽然气密的密封性和相对于颗粒的鲁棒性随着CVD层的厚度而增加，但是微米范围内的厚的CVD层的经济性由于相对长的工艺时长是相对小的。
技术实现思路
在不同的实施方式中提供一种光电子器件，该器件相对于颗粒是十分鲁棒的，该器件具有高的气密的密封性和/或高的机械稳定性。在不同的实施方式中提供一种用于制造光电子器件的方法，该方法能够简单和/或成本适宜地执行和/或该方法有助于：光电子器件相对于颗粒是十分鲁棒的，具有高的气密的密封性和/或高的机械稳定性。在不同的实施方式中提供一种光电子器件。该光电子器件具有载体和在载体上的第一电极。有机功能层结构在第一电极上构造。第二电极在有机功能层结构上构造。封装层结构在第二电极上构造。封装层结构封装有机功能层结构。封装层结构具有朝向第二电极的第一层结构和背向第二电极的第二层结构。第一层结构交替地具有拥有第一膨胀系数的第一层和拥有第二膨胀系数的第二层。第二膨胀系数不等于第一膨胀系数。第二层结构交替地具有拥有第三膨胀系数的第三层和拥有第四膨胀系数的第四层。第四膨胀系数不等于第三膨胀系数。具有第一层结构、第二层结构并且特别是具有其层的封装层结构有助于：光电子器件相对于颗粒是十分鲁棒的，具有高的气密的密封性和/或高的机械稳定性。特别是各个层可以薄地构造，使得由于张力在各个层中和之间存储相对少的能量。此外，具有不同膨胀系数的层的交替布置引起，在温度变化的情况下在器件中发生仅仅小的或仅仅可忽略的弯曲。由此产生具有在界面处仅仅小的张力的机械稳定的层。这可以减小层分离的危险。第一层结构可以相对于颗粒特别鲁棒地构造。第二层结构可以有助于封装层结构的特别高的密封性。此外，第一和第二层可以关于其膨胀系数适配于阴极。例如与阴极相邻的层可以具有与阴极的膨胀系数相等、近似相等或至少近似的膨胀系数。通过这些措施可以产生气密密封的面以用于封装有机功能层结构，所述面实现直至例如最大10-6g/m2/d或更小的数量级的透水性。两个膨胀系数近似相等或相似例如可以在本申请的范围内表示，膨胀系数之间的差小于膨胀系数之一的10％，例如小于膨胀系数之一的5％，例如小于膨胀系数之一的1％。一层或层结构在另一层或层结构上构造例如可以表示，相应的层或层结构直接或间接地利用其间的一个或多个层在另外的层结构上构造。层交替相叠地布置例如可以表示，两层交替地相叠地布置，其中总共布置至少两层。除了有机功能层结构之外，封装层结构还可以封装第二电极。膨胀系数也可以被称为热膨胀系数。在不同的实施方式中，第一和/或第二层具有硅。换句话说，第一层结构可以由交替的具有硅的层构成。这可以有助于，第一和/或第二层可以简单地构造和/或其膨胀系数可以特别好地彼此适配和/或适配于第二电极。具有硅的层例如可以借助CVD或PECVD方法来构造。在不同的实施方式中，第一和/或第二层具有氮、硼、碳和/或氧。例如第一和/或第二层可以具有SiN、SiB、SiC和/或SiOx。这可以有助于，第一和/或第二层可以简单地构造和/或其膨胀系数可以特别好地彼此适配和/或适配于第二电极。在不同的实施方式中，第三和/或第四层具有稀土氧化物。这可以有助于，第三和/或第四层可以简单地构造和/或第三和/或第四层可以具有相对于气体、例如空气和/或湿气、例如水的特别高的密封性。在不同的实施方式中，第三和/或第四层具有氧化铝、AlOxN、氧化铪、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铟锡或氧化铟锌。第三和/或第四层例如可以借助ALD方法来构造。在不同的实施方式中，第一和第二层具有相同的物质，其中第一层中的物质的组成与第二层中的物质的组成不同。例如第一和第二层可以分别具有硅和另外的物质、例如氮、硼、碳和/或氧，其中另外的物质在第一层中的份额与在第二层中不同。例如另外的物质在第一或第二层中的份额可以是50％、80％或90％。在不同的实施方式中提供一种光电子器件。光电子器件具有载体、在载体上的第一电极、在第一电极上的有机功能层结构、在有机功能层结构上的第二电极和在第二电极上的封装层结构。封装层结构封装有机功能层结构。封装层结构具有朝向第二电极的第一层和背向第二电极的第三层结构，该第一层具有硅、氮和碳，其中第三层结构具有以下层，所述层交替地具有氧化铝或氧化钛。具有第一层和第三层结构并且特别是具有其层的封装层结构有助于：光电子器件相对于颗粒是十分鲁棒的，具有高的气密的密封性和/或高的机械稳定性。第一层例如可以对应于在上文中解释的第一层。第一层可以相对于颗粒特别鲁棒地构造。第三层结构例如可以对应于在上文中解释的第二层结构的构型。特别是第三层结构作为层可以具有第三层和第四层。第三层结构可以有助于封装层结构的特别高的密封性。此外，第一层可以关于其膨胀系数适配于阴极。例如与阴极相邻的第一层可以具有与阴极的膨胀系数相等、近似相等或至少近似的膨胀系数。由此产生具有在其界面处的仅仅小的张力的机械稳定的层。这可以减少层分离的危险。通过这些措施可以产生气密密封的面以用于封装有机功能层结构，所述面实现直至例如最大10-6g/m2/d或更小的透水性。除了有机功能层结构之外，封装层结构还可以封装第二电极。第一层可以以CVD或PECVD方法来构造。第三层结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
光电子器件（10），具有：－载体（12），－在载体（12）上的第一电极（20），－在第一电极（20）上的有机功能层结构（22），－在有机功能层结构（22）上的第二电极（23），－在第二电极（23）上的封装层结构（24），其中封装层结构（24）封装有机功能层结构（22）并且具有朝向第二电极（23）的第一层结构（41）和背向第二电极（23）的第二层结构（44），其中第一层结构（41）交替地具有拥有第一膨胀系数的第一层（40）和拥有与第一膨胀系数不同的第二膨胀系数的第二层（42），并且其中第二层结构（44）交替地具有拥有第三膨胀系数的第三层和拥有与第三膨胀系数不同的第四膨胀系数的第四层，其中第一层结构（41）的与第二电极（23）直接躯体接触的层（40、42）关于其膨胀系数与第二电极（23）的膨胀系数相等、近似相等或近似。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.02.27 DE 102014102565.21.光电子器件（10），具有：－载体（12），－在载体（12）上的第一电极（20），－在第一电极（20）上的有机功能层结构（22），－在有机功能层结构（22）上的第二电极（23），－在第二电极（23）上的封装层结构（24），其中封装层结构（24）封装有机功能层结构（22）并且具有朝向第二电极（23）的第一层结构（41）和背向第二电极（23）的第二层结构（44），其中第一层结构（41）交替地具有拥有第一膨胀系数的第一层（40）和拥有与第一膨胀系数不同的第二膨胀系数的第二层（42），并且其中第二层结构（44）交替地具有拥有第三膨胀系数的第三层和拥有与第三膨胀系数不同的第四膨胀系数的第四层，其中第一层结构（41）的与第二电极（23）直接躯体接触的层（40、42）关于其膨胀系数与第二电极（23）的膨胀系数相等、近似相等或近似。2.根据权利要求1所述的光电子器件（10），其中第一和/或第二层（40、42）具有硅。3.根据上述权利要求之一所述的光电子器件（10），其中第一和/或第二层（40、42）具有氮、硼、碳和/或氧。4.根据上述权利要求之一所述的光电子器件（10），其中第三和/或第四层具有稀土氧化物。5.根据上述权利要求之一所述的光电子器件（10），其中第三和/或第四层具有氧化铝、氧化铪、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铟锡、氧化铟锌。6.光电子器件（10），其中第一和第二层（40、42）具有相同的物质，其中第一层（40）中物质的组成不同于第二层（42）中物质的组成。7.光电子器件（10），具有：－载体（12），－在载体（12）上的第一电极（20），－在第一电极（20）上的有机功能层结构（22），－在有机功能层结构（22）上的第二电极（23），－在第二电极（23）上的封装层结构（24），其中封装层结构（24）封装有机功能层结构（22）并且具有朝向第二电极（23）的第一层（40）和背向第二电极（23）的第三层结构（46），所述第一层具有硅、氮和碳，其中第三层结构（46）具有交替地拥有氧化铝或氧化钛的层。8.根据上述权利要求之一所述的光电子器件（...

【专利技术属性】
技术研发人员：M波普，R拜斯尔，C克费斯，
申请(专利权)人：欧司朗OLED股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE