高品质因子的电感和制造方法技术

技术编号:3208107 阅读:147 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种高品质因子的电感,适用于一基底,包括:一介电层,形成于基底上方,其具有一空气隙;一支撑柱,形成于空气隙中;以及一金属线圈,形成于空气隙中,并且借由支撑柱用以支撑。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于高品质因子的电感,特别是有关于半导体集成电路中的电感。
技术介绍
在GHz的射频CMOS集成电路中,电感可以用在芯片嵌入式(on-chip)的匹配电路、被动滤波器、电感负载、变压器、压控震荡器。其中最重要的性能就是品质因数,也就是品质因子,影响品质因子的因素有,金属线圈的欧姆损耗、基底的损耗、电感的寄生电容。在过去的发展中,已经提出许多高品质因子电感,例如使用高导电率的金属层制造金属线圈,以减少欧姆损耗。使用多层金属以增加电感的有效厚度,以减少高频的基底损耗。使用低损耗的基底材料,以减少高频的基底损耗。使用厚氧化层隔绝浮接电感和基底,以减少基底损耗。然而上述电感制造方法都不适用于标准的CMOS制程,需要额外的制造程序,造成成本增加,品质不容易控制。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提出一种高品质因子的电感,适用于一半导体基底,其上方具有一介电层,并且具有一空气隙于介电层中,包括一支撑柱,位于空气隙之中;以及一金属线圈,位于空气隙中,并且借由支撑柱用以支撑。本专利技术另提出一种形成高品质因子电感的方法,其步骤包括提供一半导体基底,其表面具有第一介电层;形成一支撑柱于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高品质因子的电感,其特征在于:包括:    一基底;    一介电层,具有一空气隙,位于于上述半导体基底上;    一支撑柱,位于于上述空气隙中;以及    一金属线圈,位于上述空气隙中,并且借由上述支撑柱来支撑。

【技术特征摘要】
1.一种高品质因子的电感,其特征在于包括一基底;一介电层,具有一空气隙,位于于上述半导体基底上;一支撑柱,位于于上述空气隙中;以及一金属线圈,位于上述空气隙中,并且借由上述支撑柱来支撑。2.根据权利要求1所述的高品质因子电感,其特征在于上述支撑柱是以多层金属内联机完成。3.根据权利要求1所述的高品质因子电感,其特征在于上述基底是硅基底。4.根据权利要求1所述的高品质因子电感,其特征在于上述介电层是一二氧化硅层。5.一种高品质因子电感的制造方法,其步骤包括(a)提供一基底;(b)形成第一介电层于上述基底上;(c)形成一支撑柱于上述第一介电层中;(d)形成一金属线圈于上述第一介电层中,并且连接于上述支撑柱;(e)定义一焊垫窗口于上述金属线圈的上方;以及(f)蚀刻上述第一介电层,形成一空气隙上述金属线圈周围。6.根据权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈重辉
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]

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