形成双镶嵌结构的方法技术

一种形成双镶嵌结构的方法，首先提供具有一导体层的一基底；然后，形成一低介电为数介电层于基底上；然后，形成一开口于介电层中，该开口包含一槽沟与一孔洞，其中孔洞底下为露出导体层；之后，对位于开口内的介电层表面进行一Ｎ↓［２］Ｏ或惰性气体的等离子制程；接着，填入导体材料于开口中而形成一双镶嵌结构；如此，本发明专利技术通过对位于该开口内的该介电层表面进行一Ｎ↓［２］Ｏ或惰性气体的等离子制程，而形成一非结晶区于该介电层表面，而能够增加介电层与导体材料之间键结数而能够提升附着力，因而使得双镶嵌制程品质获得改善；更者，因为Ｎ↓［２］Ｏ或惰性气体的等离子制程使得介电层表面粗化，这也提升了介电层与导体材料之间的附着力。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于半导体技术中的双镶嵌制程，且特别是有关于一种提升导体(conductor)与低介电为数材料(low-k dielectric)之间附着性(adhesion)的方法。
技术介绍
近年来，随着半导体集成电路(IC)制造技术的发展，芯片中所含组件的数量不断增加，组件的尺寸也因积集度的提升而不断地缩小，因此双镶嵌制程(dualdam scene process)已成为现今金属导线连结技术的主流。举例来说，先沉积一绝缘层，然后经过平坦化与图案化该绝缘层之后，形成槽沟(trench)和孔洞(viahole)所组成的开口，然后再将金属材料填入槽沟和孔洞中，而形成一导线(conductive wire)耦合一插塞(plug)，然后再进行一化学机械研磨(chemicalmechanical polishing，CMP)的平坦化制程，用以平坦(planarize)组件的表面，因而得到一双镶嵌结构。因为双镶嵌结构能避免重迭误差(overlay error)以及解决习知金属制程的限制，因此双镶嵌制程便被广泛地应用在半导体制程中而提升组件可靠度。以下利用图1A～1D来说明习知的双镶嵌制程剖面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成双镶嵌结构的方法，其特征是：包括下列步骤：提供一基底，该基底具有一导体层；形成一介电层于该基底上；形成一开口于该介电层中，该开口包含一槽沟与一孔洞，其中该孔洞底下露出该导体层；对位于该开口内的该介电层 表面进行一Ｎ↓［２］Ｏ或惰性气体的等离子制程；以及填入导体材料于该开口中而形成一双镶嵌结构。

【技术特征摘要】
1.一种形成双镶嵌结构的方法，其特征是包括下列步骤提供一基底，该基底具有一导体层；形成一介电层于该基底上；形成一开口于该介电层中，该开口包含一槽沟与一孔洞，其中该孔洞底下露出该导体层；对位于该开口内的该介电层表面进行一N2O或惰性气体的等离子制程；以及填入导体材料于该开口中而形成一双镶嵌结构。2.如权利要求1所述的形成双镶嵌结构的方法，其特征是该导体层为铜层。3.如权利要求1所述的形成双镶嵌结构的方法，其特征是该介电层为低介电系数介电层。4.如权利要求3所述的形成双镶嵌结构的方法，其特征是该介电层为SiO2、掺杂氟的SiO2或磷硅玻璃层。5.如权利要求3所述的形成双镶嵌结构的方法，其特征是该介电层为有机层。6.如权利要求1所述的形成双镶嵌结构的方法，其特征是该惰性气体的等离子制程为氦气等离子制程。7.如权利要求1所述的形成双镶嵌结构的方法，其特征是该N2O或惰性气体的等离子制程的能量条件为100～500W。8.如权利要求1所述的形成双镶嵌结构的方法，其特征是该导体材料包含一阻障层和一金属层。9.如权利要求8所述的形成双镶嵌结构的方法，其特征是该阻障层为Ta/TaN层。10.如权利要求8所述的形成双镶嵌结构的方法，其特征是该金属层为铜层。11.一种形成双镶嵌结构的方法，其特征是包括下列步骤提供一基底，该基底具有一导体层；形成一介...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂俊峰，郑丰绪，陈振隆，
申请(专利权)人：矽统科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]