沟槽电容的下电极的制造方法技术

本发明专利技术提供一种改善光阻平坦度的方法与沟槽电容的下电极的制造方法。在去除沟槽内部的上半部光阻（保护光阻）后，新增一道全面性重新填满另一光阻（回填光阻）的程序，以填满去除后的保护光阻上表面与基底上表面之间的距离，该距离是由于光阻与基底表面附着性不佳或是沟槽密度分布不均所引起，重新形成的回填光阻便可具有一平坦表面，接着，依据习知制程去除部分沟槽内的光阻，便可得到沟槽内的光阻上表面与基底上表面相距相同距离的改善效果。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种改善光阻平坦度的方法，特别是有关于一种可应用于沟槽电容器的下电极的形成，使沟槽电容器的下电极的制程良率较易控制。
技术介绍
动态随机存取存储器(DRAM)为一种可以读写的存储器，且由于DRAM的每个DRAM胞只需要一个晶体管和一个电容器，因此相对于其它存储器而言，DRAM可以达到相当高的积集度，使得DRAM被广泛地应用在计算机及电器产品上。沟槽电容器为一种常见的电容器结构，其是形成于半导体硅基底中，借由增加沟槽电容器于半导体硅基底中的深度可以增加其表面积，以增加其电容量。而沟槽电容器芯片可以大至分为记忆胞数组区(memory cell array area)和解耦合电容区(decoupling capacitorarea)，其中记忆胞数组区是用以储存数据的区域，而解耦合电容区是用以过滤噪声(noise)的区域。习知的沟槽电容器的制造方法，是于半导体硅基底中形成沟槽后，于半导体硅基底的表面覆盖一层已掺杂砷离子的氧化硅层。之后将此氧化硅层定义出预形成下电极的区域，而定义此氧化硅层的方法，是借由涂布一层光阻材质后，进行烘烤步骤，使光阻材质硬化，而在烘烤的过程中，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善光阻平坦度的方法，包括：　　　　提供一基底，该基底中形成有复数个沟槽；　　　　形成一保护光阻于该基底表面，使该保护光阻填入该沟槽内；　　　　去除高出于该基底表面的该保护光阻，其中部分该沟槽内的该保护光阻的上表面低于该基底的上表面，以形成复数沟槽缺口；　　　　全面性形成一回填光阻，以填满该沟槽缺口，使该保护光阻与该回填光阻共同填满该沟槽，成为复数沟槽光阻；以及　　　　去除部分该沟槽光阻，使各该沟槽中的该沟槽光阻的上表面低于该基底上表面一既定距离。

【技术特征摘要】
1.一种改善光阻平坦度的方法，包括提供一基底，该基底中形成有复数个沟槽；形成一保护光阻于该基底表面，使该保护光阻填入该沟槽内；去除高出于该基底表面的该保护光阻，其中部分该沟槽内的该保护光阻的上表面低于该基底的上表面，以形成复数沟槽缺口；全面性形成一回填光阻，以填满该沟槽缺口，使该保护光阻与该回填光阻共同填满该沟槽，成为复数沟槽光阻；以及去除部分该沟槽光阻，使各该沟槽中的该沟槽光阻的上表面低于该基底上表面一既定距离。2.根据权利要求1所述的改善光阻平坦度的方法，其中该基底表面更包括一氮化层，形成于该沟槽以外的该基底表面。3.根据权利要求2所述的改善光阻平坦度的方法，其中去除高出于该基底表面的该保护光阻直到露出该氮化层表面为止。4.根据权利要求1所述的改善光阻平坦度的方法，其中该保护光阻与该回填光阻是由相同材质所构成。5.根据权利要求1所述的改善光阻平坦度的方法，其中该沟槽光阻是仅由该保护光阻所构成或由该保护光阻与该回填光阻所共同构成。6.一种沟槽电容的下电极的制造方法，包括提供一基底；形成具有复数个开口的硬罩幕于该基底表面；经由该硬罩幕的开口蚀刻该基底，以形成复数个沟槽；顺应性形成一介电层于该沟槽表面和侧壁，其中该介电层中掺杂有一导电型掺质；形成一保护光阻于该硬罩幕表面，使该保护光阻填入该沟槽内；去除高出于该硬罩幕表面的该保护光阻，直到露出该硬罩幕表面为止，其中部分该沟槽内的该保护光阻的上表面低于该硬罩幕的上表面，以形成复数沟槽缺口；全面性形成一回填光阻，以填满该沟槽缺口，使该保护光阻与该回填光阻共同填满该沟槽，成为复数沟槽光阻；去除部分该沟槽光阻，使该沟槽光阻的上表面低于该基底上表面一既定距离，暴露出该沟槽内的部分该介电层；剥除暴露的该介电层；移除该沟槽光阻；以及将该介电层中的该导电型掺质趋入该基底中，以形成该下电极。7.根据权利要求6所述的沟槽电容的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈锰宏，吴心玲，吴鸿谟，李中元，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]