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一种形成双镶嵌结构的方法，首先提供具有一导体层的一基底；然后，形成一低介电为数介电层于基底上；然后，形成一开口于介电层中，该开口包含一槽沟与一孔洞，其中孔洞底下为露出导体层；之后，对位于开口内的介电层表面进行一Ｎ↓［２］Ｏ或惰性气体的等离子...
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