形成镶嵌结构的方法技术

本发明专利技术揭示一种形成镶嵌结构的方法。首先，在一基底上沉积一绝缘层，再在绝缘层上依序形成一上盖层及一硬式罩幕层。接着，借由上盖层作为一蚀刻终止层来蚀刻硬式罩幕层以形成至少一开口。在开口侧壁形成一金属间隙壁。之后，蚀刻开口下方的上盖层及其下方的绝缘层以形成一沟槽。接着，去除硬式罩幕层及金属间隙壁。最后，清洁基底，并在沟槽中填入一导电层以形成镶嵌结构。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种集成电路结构的制造方法，特别是有关于一种利用镶嵌制程形成内联机的方法。
技术介绍
在集成电路的制造中，常采用多层导线结构来连接装置中各个区域或是集成电路中的各个装置。就现今而言，镶嵌技术成为形成上述导线结构的一种非常有用的方式并已广泛地应用于半导体工业。镶嵌制程是一种内联机的制造程序，其中，先于一绝缘中形成沟槽，之后再将金属填入以形成导线层。为进一步了解本专利技术的背景，以下配合图1a到图1d说明习知。首先，请参照图1a，提供一基底100，例如一硅晶圆，其具有金属导线层102形成于内。接着，在基底100上形成一封盖层104，例如氮化硅层，以覆盖金属导线层102。之后，在封盖层104上依序沉积一金属层间介电层(intermetaldielectric，IMD)106及一上盖层108。金属层间介电层106可由低介电常数(low k)材料层所构成，例如旋涂式玻璃(SOG)、掺氟的二氧化硅(FSG)、含氢硅酸盐(HSQ)、掺氟的聚芳烯醚(FLARE)、及芳香族碳氢化合物(SiLK)等。另外，上盖层108是用于保护金属层间介电层106，其可由氧化硅所构成。接着，在上盖本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成镶嵌结构的方法，至少包括下列步骤：在一基底上沉积一绝缘层；在该绝缘层上依序形成一上盖层及一硬式罩幕层；借由该上盖层作为一蚀刻终止层来蚀刻该硬式罩幕层以形成至少一开口；在该开口侧壁形成一金属间隙壁； 蚀刻该开口下方的该上盖层及其下方的该绝缘层以形成一沟槽；去除该硬式罩幕层及该金属间隙壁；以及在该沟槽中填入一导电层以形成镶嵌结构。

【技术特征摘要】
1.一种形成镶嵌结构的方法，至少包括下列步骤在一基底上沉积一绝缘层；在该绝缘层上依序形成一上盖层及一硬式罩幕层；借由该上盖层作为一蚀刻终止层来蚀刻该硬式罩幕层以形成至少一开口；在该开口侧壁形成一金属间隙壁；蚀刻该开口下方的该上盖层及其下方的该绝缘层以形成一沟槽；去除该硬式罩幕层及该金属间隙壁；以及在该沟槽中填入一导电层以形成镶嵌结构。2.根据权利要求1所述的形成镶嵌结构的方法，其中该上盖层是一未掺杂硅玻璃。3.根据权利要求2所述的形成镶嵌结构的方法，其中该上盖层的厚度在1000到1500埃的范围。4.根据权利要求1所述的形成镶嵌结构的方法，其中该硬式罩幕层是一氮化硅层或一碳化硅层。5.根据权利要求4所述的形成镶嵌结构的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾子琨，吴嘉阳，
申请(专利权)人：矽统科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]