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形成镶嵌结构的方法技术
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文档序号:3207320
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本发明揭示一种形成镶嵌结构的方法。首先,在一基底上沉积一绝缘层,再在绝缘层上依序形成一上盖层及一硬式罩幕层。接着,借由上盖层作为一蚀刻终止层来蚀刻硬式罩幕层以形成至少一开口。在开口侧壁形成一金属间隙壁。之后,蚀刻开口下方的上盖层及其下方的绝...
该专利属于矽统科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过矽统科技股份有限公司授权不得商用。
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