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本发明旨在实现可以避免通孔塞与金属布线之间的接触不良的、具有布线连接结构的电子器件的制造方法。在形成通孔（８）的蚀刻工序中，用Ｃ↓［４］Ｈ↓［８］、Ｏ↓［２］及Ａｒ的混合气体作为蚀刻气体。因而，至少在通孔（８）的侧壁的上部，通孔（８）的侧壁...
该专利属于株式会社瑞萨科技所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社瑞萨科技授权不得商用。

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