本发明提供一种ＲＦ放大装置，包括：放大元件（Ｑ１１、Ｑ１２），对无线通信的无线频率输入信号（Ｐｉｎ＿ＬＢ）进行放大；以及传输线变压器（ＴＬＴ　１１、１２），与放大元件的输入电极与输出电极中的一个电极连接。传输线变压器包括：主线路（Ｌｏｕ...

本发明提供一种ＣＭＯＳ电路和半导体器件，在包括当使栅极和源极为相等电压时在漏极与源极之间实质上流过亚阈值电流的ＭＯＳＴ（Ｍ）的输出级电路中，在非激活时，对该ＭＯＳＴ（Ｍ）的栅极施加电压以使该ＭＯＳＴ（Ｍ）的栅极和源极之间为逆偏压。即在Ｍ...

本发明提供一种电源系统，通过在处理器的运算量小时，降低电源控制控制器的时钟频率，能够降低电源控制控制器的损失，延长电子设备的电池的寿命。在电源系统中，具有：处理器（１）；作为向处理器（１）供给电力的开关调节器的电源控制控制器（３１）以及...

提供一种在薄型ＩＣ卡中防止插入ＩＣ卡时的端子的电气短路、连接器端子的破坏和ＩＣ卡的弯曲，且有效利用ＩＣ芯片的层叠和芯片尺寸的技术。通过在薄型存储卡（１８０２）的中央部配置连接器端子，防止端子间的电气短路。在薄型存储卡（１８０２）上设置台...

本发明的目的是减小安装在ＲＦ通信终端装置上的、对收发信号进行转换的天线开关中的ＷＣＤＭＡ方式下重要的交调失真或者ＧＳＭ方式下重要的谐波失真，采用以下结构作为解决手段。将提供收发信号的一方的高频开关（Ｑｍ）控制为导通，而将提供其他方式的信...

本发明提供一种在IC卡中存储器容量的扩展性大、能够实现符 合使用者要求的存储器容量且不造成成本负担的技术。本发明的IC 卡是搭载有闪存的闪存卡(306)，闪存卡(306)可插入搭载有安全 IC的Plug-inSIM适配器(305a)和/...

本发明的目的在于提供一种使微型计算机能够利用少量的端口来检测多个开关的状态的技术。在本发明的微型计算机系统中，对Ｍ个按下式开关（ＳＷ１２、ＳＷ１３、ＳＷ１４、ＳＷ２３、ＳＷ２４、ＳＷ３４）的每一个，以互不相同的方式分配微型计算机（１）的...

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。目的在于：在使用阈值电压的绝对值互异的多个金属绝缘体半导体晶体管的情况下，可抑制阈值电压的绝对值较大的金属绝缘体半导体晶体管驱动电流的下降。第二ｎ型金属绝缘体半导体晶体管Ｔ２ｎ的阈值电压比第一ｎ型...

本发明涉及用于制造半导体器件和接线键合器的方法。具体地，通过减小引线框或者布线衬底在接线键合之后的颤动，实现了接线键合质量的改进。在接线键合器的接线键合部分的加热块之上，提供冷却风机，用于冷却经过接线键合的矩阵框，从而使其温度可以逐步降...

本发明提供一种半导体集成电路，以抑制由诸如电源噪声的相对小的电源波动引起的保护电路中误操作的出现。保护电路具有第一电阻器和电容器、反相器和ＭＯＳ晶体管，第一电阻器和电容器串联连接在电源线和接地线之间，反相器的输入连接在第一电阻器和电容器...

提供了一种放大和合成差分信号并且能够抑制谐波的功率放大器。该功率放大器包括：第一放大器，放大作为差分信号的第一输入信号和第二输入信号；第一线圈，接收由第一放大器放大的第一输入信号和第二输入信号；第二线圈，与第一线圈磁耦合，并且输出放大的...

本发明提供一种半导体器件及其制造方法。提供了一种可以在包括ＭＲＡＭ器件的半导体器件中通过提高对外部磁场的抵抗性来改进ＭＲＡＭ器件的数据留存特性的技术。第一磁屏蔽材料经由第一管芯附着膜设置于管芯焊盘之上。然后，半导体芯片经由第二管芯附着膜...

一种半导体集成电路（Ｕ２），其包括天线端子（ＬＡ、ＬＢ）、整流电路（Ｂ１）、电源电压端子（ＶＤＤ）、并联稳压电路（Ｂ２）、以及串联稳压电路（Ｂ３），当内部电源线（ＶＤＤＡ）的电压上升至第一设定电压（Ｖ１）以上时，并联稳压电路（Ｂ２）对下...

本发明提供一种显示控制器驱动器。上述半导体器件具有转换电路和第１寄存器。上述转换电路在将与外部的并行接口用作大尾数法或小尾数法之间进行转换。第１寄存器保存上述转换电路的控制数据。在对上述第１寄存器供给即使其高位和低位比特位置调换、特定的...

本发明可使具有WPP技术的再配线的半导体装置的可靠性提高。再配线在半导体 基板1S的面内具有彼此电性分离的本体图案2及虚设图案3。将与多层配线电性连接的 本体图案2及浮动的虚设图案3设置成混合存在于半导体基板1S的面内。半导体基板 1S...

本发明涉及半导体装置的制造方法及半导体装置，提供一种在利用引线接合进行安装的芯片和利用凸块电极进行安装的芯片中能够将制造步骤共用化的技术。不管是在芯片１通过凸块电极来进行与外部的电性连接的情况下，还是在芯片１通过接合线来进行与外部的电性...

一种半导体器件，包括形成于半导体衬底上方并具有相同导电类型的第一ＭＩＳＦＥＴ和第二ＭＩＳＦＥＴ。该第一ＭＩＳＦＥＴ具有布置在该半导体衬底上方的第一栅极绝缘膜、布置在该第一栅极绝缘膜上方的第一栅电极、以及第一源极区和第一漏极区。该第二ＭＩ...

本发明提供一种能够通过降低金属硅化物层的电特性的变化提高半导体元件的可靠性及其成品收率的技术。在半导体基板１上形成镍－铂合金膜后，通过使用加热器加热装置在２１０－３１０℃的热处理温度下进行第一热处理，该技术使得镍－铂合金膜与硅相互反应以...

提供一种实现高速数据读取并且减少用于激活字线的驱动电路的区域的半导体器件。通过经过具有低阻抗并且在多个点耦合到字线的共用字线的信号发送，有可能高速读取数据。另外，由于提供共用字线为多个存储器块所共用，所以可以提供字线驱动器为存储器块所共...

本发明提供一种探测卡、探测卡的制造方法、半导体检测装置以及半导体装置的制造方法。将硅基板作为型材，在该硅基板上采用光刻技术依次层叠金属膜以及聚酰亚胺膜等的薄膜，由此以单片梁构造形成前端具有棱锥形状或棱台形状的接触端子（４）的探测片（５）...