本发明专利技术提供一种ＲＦ放大装置，包括：放大元件（Ｑ１１、Ｑ１２），对无线通信的无线频率输入信号（Ｐｉｎ＿ＬＢ）进行放大；以及传输线变压器（ＴＬＴ １１、１２），与放大元件的输入电极与输出电极中的一个电极连接。传输线变压器包括：主线路（Ｌｏｕｔ），配置在输入与输出之间；以及副线路（Ｌｉｎ），配置在输入与输出中的某一个与交流接地点之间并与主线路（Ｌｏｕｔ）耦合。通过对交流接地点施加与接地电压电平（ＧＮＤ）不同的动作电压（Ｖｄｄ），从交流接地点经由副线路（Ｌｉｎ）向放大元件（Ｑ１１、Ｑ１２）的输出电极供给动作电压（Ｖｄｄ）。可以在ＲＦ放大装置中在实现高性能的负载电路时回避ＲＦ模块的模块高度增大，并且回避在半导体芯片或多层布线电路基板中构成的高频放大器的负载电路的占有面积增大。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及RF (无线频率)放大装置，特别涉及对回避RF模 块的模块高度增大并且回避在半导体芯片或多层布线电路基板中被 构成的高频放大器的负载电路的占有面积增大有益的技术。
技术介绍
在以便携电话为代表的移动体通信中存在多个通信方式。例如在 欧洲，除了作为第二代无线通信方式而普及的GSM以及提高了 GSM 的数据通信速度的EDGE以外，还有近年来开始服务的作为第三代无 线通信方式的W-CDMA。另外，在北美除了作为第二代无线通信方 式的DCS、PCS以外，作为第三代无线通信方式的cdmalx正在普及。 另外，GSM是Global System for Mobile Communication的简写。EDGE 是Enhanced Data rate for GSM Evolution的简写。W - CDMA是 Wide-band Code Division Multiple Access的简写。DCS是Digital Cellar System的简写。PCS是Personal Communication System的简写。 cmdalx是Code Division Multiple Access lx的简写。在下述非专利文献1中，记载了将基于传输线变压器(TLT， Transmission Line Transformer)的匹配技术用于RF频率与低端微波 中的多倍频程阻抗变换的内容。传统地，在电力放大器中，为了实现 从超低阻抗向50Q以倍频程或其以上的频带变换的变压器，在梯形电 路中一般使用多个电感、电容、传输线或它们的组合。在使用了这些 结构部件的传统技术中，伴随具有被限制的频带，而变成大的电路尺 寸。使用耦合的传输线的直线或线圏段的传输线变压器(TLT)具有 宽频带，并且电路尺寸小。在下述非专利文献l中，还记栽了如下内 容该类型的变压器例如还可以设计成使用布线电路基板、低温共烧8陶瓷(LTCC)、高温共烧陶瓷(HTCC)、单片硅(Si)或砷化镓 (GaAs) IC中的某一个多层布线制造技术。在下述非专利文献2中，介绍了 Guanella型和Ruthroff型的传 输线变压器(TLT)，并且记载了通过在GaAs基板上使用三层布线 来形成非平衡Guanella型传输线变压器(TLT )。在下述非专利文献3中，记栽了如下内容相对于传统的变压器 基于磁通耦合，传输线变压器(TLT)在以传输线模式向输出电路传 达能量的这一点上是不同的。由于浮地电感与寄生电容一般被传输线 的特性阻抗吸收，所以其结果传输线变压器(TLT)呈现与传统的变 压器相比更宽的频带宽度与更高的效率。片外的传输线变压器(TLT) 在2.4GHz蓝牙应用的低噪声放大器(LNA)中被用于从单端信号向 差动信号的变换及其逆变换中。在下述非专利文献4中，记载了如下内容在阻抗匹配中变压器 是有益的结构要素，但在2 30MHz的频带中必需考虑内部布线电容， 相对于此，基于Guanella和Ruthroff的传输线变压器(TLT)在特 别大的电力电平下也是有益的，且结构简单、廉价、轻便，能够对宽 的频带宽度进行处理。在SSB与AM通信中使用的2 ~ 30MHz频带 的宽频带高输出高频线性放大器中，巻绕在铁氧体环状磁心上而成的在下述非专利文献5中，记载了如下内容作为要求高效的RF 通信用的电力放大器的负载，使用扼流圏电感。在下述非专利文献5 中还记载了如下内容扼流圏电感抑制从DC电源向放大器供给的电 流的高次谐波。非专利文献1: Inder J. Bahl , "Broadband and Copmact Impedance Transformers for Microwave Circuits" ， IEEE MICROWAVE magazine PP. 56 — 62、 August 2006.非专利文献2: J. Horn et al， "Integrated Transmission Line Transformer, 2004 IEEE MTT - S Digest, PP. 201 - 204.非专利文献3: Bill Toole et al， "A Low Voltage, LowPower RF CMOS LNA for Bluetooth Applications using Transmission Line Transformers",Proceedings of the 27th European Solid - State Circuits Conference , 2001 , ESSCIRC, 18-20 Sept, 2001， PP. 433 - 436.非专利文献4: OCTAVIUS PITZALIS et al， "Broadband 60 - W HF Lenear Amplifier" ， IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL. SC-6， NO. 3， JUNE 1971， PP. 93 - 103.非专利文献5: BrettE. Klehnetal ， "AN EXACT ANALYSISOFCLASS - EPOWERAMPLIFIERS FOR RF COMMUNICATIONS" ， Proceedings of the 2004 International Symposium on Circuits and Systems,PP. 277 -280.如上述非专利文献5所述，作为RF电力放大器的负栽，使用了 扼流圏电感。本专利技术者等在本专利技术之前，从事着内置了RF电力放大 器的RF模块的开发。图l是示出内置了在本专利技术之前由本专利技术者等开发的RF电力放 大器的RF模块的电路图。如该图所示，RF电力放大装置构成为组入 一个封装中的RF功率模块RF—PAM。来自在便携电话终端那样的通信终端设备中所搭载的RF发送接 收模拟信号处理集成电路(以下称为RFIC)的具有GSM 850与GSM 900的大致0.8GHz ~ 1.0GHz的第一频带的第一 RF发送输入信号 Pin_LB、与具有DCS 1800、 PCS 1900、 WCDMA 1900的大致 1.7GHz ~ 2.0GHz的第二频带的第二 RF发送输入信号Pin_HB被分别 供给到RF功率模块RF—PAM的第一 RF电力放大器HPAl与第二 RF电力放大器HPA2中。GSM 850的频段的RF发送信号与GSM 900的频段的RF发送 信号作为具有第一频带的第一RF发送输入信号Pin—LB，被供给到第 一 RF电力放大器HPAl的输入中。另外，GSM850的频段的RF发10送信号的频带是824MHz ~ 849MHz, GSM卯O的频段的RF发送信 号的频带是880MHz ~ 915MHz。DCS 1800的频段的RF发送信号与PCS 1900的频段的RF发送 信号作为具有第二频带的第二 RF发送输入信号Pin一HB，被供给到 第二 RF电力放大器HPA2的输入中。另外，WCDMA 1900的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种ＲＦ放大装置，其特征在于，包括： 放大元件，对无线通信的无线频率输入信号进行放大；以及 传输线变压器，与该放大元件的输入电极与输出电极中的至少某一个电极连接， 上述传输线变压器包括：主线路，配置在输入与输出之间； 以及副线路，配置在上述输入与上述输出中的某一个与交流接地点之间，并与上述主线路耦合， 上述传输线变压器的上述主线路的上述输入与上述输出中的某一个与上述放大元件的上述一个电极连接， 通过对上述交流接地点施加与接地电压电平不同的动 作电压，从上述交流接地点经由上述副线路，向上述放大元件的上述一个电极供给上述动作电压。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：大西正己，田中聪，田中亮一，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。