【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种半导体集成电路，其特征在于， 包含多个高频开关， 上述多个高频开关的一方的高频开关的一端和上述多个高频开关的另一方的高频开关的一端与公共输入输出端子连接，上述公共输入输出端子能与无线电频率通信终端设备的天线连接， 能向 上述一方的高频开关的另一端供给基于规定的通信方式的ＲＦ发送信号和ＲＦ接收信号，且能向上述另一方的高频开关的另一端供给与上述ＲＦ发送信号和上述ＲＦ接收信号不同的其他的ＲＦ发送信号和其他的ＲＦ接收信号中的至少任意一方， 上述一方的高频开关 包含串联连接的多个场效应晶体管，上述另一方的高频开关包含串联连接的其他的多个场效应晶体管，能向上述一方的高频开关的上述多个场效应晶体管的多个栅极供给用于上述一方的高频开关的开关控制的控制电压，且能向上述另一方的高频开关的上述其他的多个场效应晶体管的其他的多个栅极供给用于上述另一方的高频开关的开关控制的其他的控制电压， 在上述一方的高频开关的上述多个场效应晶体管的上述多个栅极和被供给上述控制电压的控制端子之间连接有多个电阻，在上述另一方的高频开关的上述其他的多个场效应晶体 管的上述其...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：小屋茂树，高谷信一郎，小川贵史，中岛秋重，重野靖，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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