半导体集成电路及内置有该半导体集成电路的高频模块制造技术

本发明专利技术提供一种半导体集成电路和内置该集成电路的高频模块。半导体集成电路（２００）包含具有电压生成电路（１００）、发送开关（１０１）和接收开关（１０２）的天线开关。发送端子（２０３）和输入输出端子（２０１）之间的发送开关（１０１）的晶体管（２１１）的通断通过发送控制电压（Ｖ＿Ｔｘｃ）而控制。输入输出端子（２０１）和接收端子（２０５）之间的接收开关（１０２）的晶体管（２１５ａ～２１５ｄ）的通断通过接收控制电压（Ｖ＿Ｒｘｃ）而控制。电压生成电路（１００）的高频信号输入端子（１０）与发送端子（２０３）连接，由ＤＣ输出端子（１０４）生成的负电压的ＤＣ输出电压（Ｖｏｕｔ）可供给到接收开关（１０２）的晶体管（２１５ａ～２１５ｄ）的栅极控制端子。在向天线开关的电压生成电路供给ＲＦ发送信号时能够减少ＲＦ发送输出信号的高次谐波成分的电平增大。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及包含天线开关的半导体集成电路及内置有该半导体集成电路的高频 模块，尤其涉及在向天线开关的电压生成电路供给RF发送信号时，有利于减轻RF发送输出 信号的高次谐波成分电平的增大的技术。
技术介绍
以往，使用PIN 二极管的天线开关装置较为普遍，但是近年来，天线开关装置使 用FET (Field Effect Transistor :场效应晶体管)、尤其是具有较低导通电阻的异质结构 造的HEMT(High ElectronMobility Transistor :高电子迁移率晶体管)。通过使用FET， 天线开关装置可集成化为单片微波集成电路(匪IC :Monolithic Microwavelntegrated Circuit)。 天线开关装置使用如HEMT器件那样的具有n沟道的耗尽型FET时，对应导通的 FET的栅极和源极之间施加大于等于阈值电压的高电位差，并对应截止的FET的栅极和源 极之间施加小于等于阈值电压的低电位差。 在下述专利文献1中记载了如下内容对天线开关装置的接收侧开关部的耗尽型 场效应晶体管的栅电极供给低于接地电位的低电压作为发送时施加的低电压的控制信号，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体集成电路，包含至少一个具有电压生成电路、发送开关和接收开关的天线开关，其特征在于：上述发送开关连接在发送端子和输入输出端子之间，上述发送开关的发送场效应晶体管的通断能够通过提供给发送控制端子的发送控制电压的电平来控制，上述接收开关连接在上述输入输出端子和接收端子之间，上述接收开关的接收场效应晶体管的通断能够通过提供给接收控制端子的接收控制电压的电平来进行控制，上述电压生成电路的高频信号输入端子与上述发送开关的上述发送端子相连接，由上述电压生成电路的ＤＣ输出端子生成的负电压的ＤＣ输出电压能提供给上述接收开关的上述接收场效应晶体管的栅极控制端子。

【技术特征摘要】
JP 2008-11-10 2008-287921一种半导体集成电路，包含至少一个具有电压生成电路、发送开关和接收开关的天线开关，其特征在于上述发送开关连接在发送端子和输入输出端子之间，上述发送开关的发送场效应晶体管的通断能够通过提供给发送控制端子的发送控制电压的电平来控制，上述接收开关连接在上述输入输出端子和接收端子之间，上述接收开关的接收场效应晶体管的通断能够通过提供给接收控制端子的接收控制电压的电平来进行控制，上述电压生成电路的高频信号输入端子与上述发送开关的上述发送端子相连接，由上述电压生成电路的DC输出端子生成的负电压的DC输出电压能提供给上述接收开关的上述接收场效应晶体管的栅极控制端子。2. 根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于上述发送开关的上述发送场效应晶体管和上述接收开关的上述接收场效应晶体管分别是n沟道器件，响应向上述发送控制端子供给高电平的上述发送控制电压，上述发送开关的上述发送 场效应晶体管被控制为导通，响应向上述接收控制端子供给高电平的上述接收控制电压，上述接收开关的上述接收 场效应晶体管被控制为导通。3. 根据权利要求2所述的半导体集成电路，其特征在于在将向上述发送端子供给的RF发送输入信号传输到上述输入输出端子的发送模式 中，向上述发送控制端子供给高电平的上述发送控制电压，向上述接收控制端子供给低电 平的上述接收控制电压，在上述发送模式中，响应向上述发送端子供给的上述RF发送输入信号，由上述电压生 成电路的上述DC输出端子生成的负电压的上述DC输出电压被提供给上述接收开关的上述 接收场效应晶体管的栅极控制端子。4. 根据权利要求3所述的半导体集成电路，其特征在于 上述电压生成电路的DC控制电压供给端子与上述接收控制端子连接， 在上述发送模式中，提供给上述接收控制端子的低电平的上述接收控制电压被提供给上述电压生成电路的上述DC控制电压供给端子。5. 根据权利要求4所述的半导体集成电路，其特征在于上述接收开关的上述接收场效应晶体管由漏极-源极路径被串联连接在上述输入输 出端子和上述接收端子之间的多个场效应晶体管构成。6. 根据权利要求4所述的半导体集成电路，其特征在于上述接收开关的上述接收场效应晶体管和上述发送开关的上述发送场效应晶体管是 具有异质结的HEMT。7. 根据权利要求6所述的半导体集成电路，其特征在于上述天线开关包括用于控制第一频带的第一频率信号的传输的第一天线开关和用于 控制第二频带的第二频率信号的传输的第二天线开关，上述第一天线开关的上述输入输出端子和上述第二天线开关的上述输入输出端子上 分别连接有分频器的第一端口和第二端口 ，在上述分频器的共用输入输出端子上能连接天线。8. 根据权利要求7所述的半导体集成电路，其特征在于上述第一天线开关的上述发送开关包括连接在上述第一天线开关的上述发送端子和 上述输入输出端子之间的单一的第一发送场效应晶体管，上述第二天线开关的上述发送开关包括连接在上述第二天线开关的上述发送端子和 上述输入输出端子之间的单一的第二发送场效应晶体管。9. 根据权利要求7所述的半导体集成电路，其特征在于上述第一天线开关的上述电压生成电路和上述第二天线开关的上述电压生成电路的 各电压生成电路包括第一二极管、第二二极管、第一电阻元件、第二电阻元件、第一电容元 件、以及第二电容元件，在上述各电压生成电路中，上述第一电阻元件和上述第一电容元件串联连接的一方端 子与上述高频信号输入端子连接，上述第一二极管的正极和上述第二二极管的负极与上述 串联连接的另一方端子连接，上述第一二极管的负极和上述第二电容元件的一端与上述DC控制电压供给端子连 接，上述第二二极管的正极和上述第二电容元件的另一端经由上述第二电阻元件与上述DC 输出端子连接。10. —种高频模块，包括功率放大器和天线开关半导体集成电路，其特征在于， 上述功率放大器对由高频模拟信号处理半导体集成电路生...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤薰，小屋茂树，高谷信一郎，重野靖，中岛秋重，小川贵史，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：JP[日本]