一种阈值电压偏差少的常关型纵向氮化物半导体晶体管装置，包括：包含氮化物半导体的漂移层、与漂移层电连接的信道区域、源极电极、漏极电极、栅极绝缘膜、栅极电极。所述栅极绝缘膜至少包括位于信道区域侧的第一绝缘膜、位于栅极电极侧的第二绝缘膜、在第...

本发明提供一种化合物半导体异质结双极晶体管，包括发射区层及基区层的结构，在将赝晶生长InGaAs用于基区层的GaAsHBT中，降低在发射区层与基区层的界面产生的传导带能垒对作为功率放大器的特性的影响。第一发明中，将具有CuPt型秩序的I...