半导体装置的制造设备的清洁方法制造方法及图纸

一种半导体装置的制造设备的清洁方法，包含以下步骤：一供气步骤，将一第一清洁气体与一第二清洁气体供应到一处理室之中，并使该第一与第二清洁气体形成为一混合气体，其中该第一清洁气体系含有氟化碳气体与氧气，且该第二清洁气体则含有氮气；一活化步骤，通过一高频能量活化该第一与第二清洁气体所形成的混合气体；及一排气步骤，排除该活化的混合气体清洁之后所留下的残余物与残余气体。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤其涉及一种薄膜沉积设备的清洁方法。本申请主张2003年1月29日在韩国申请的第2003-05789号申请案的优先权，在此将其列入参考数据。
技术介绍
一般而言，半导体装置的薄膜可通过各种方法加以形成，例如化学气相沉积(CVD)方法。沉积完各层薄膜之后，就必须清洁薄膜沉积设备的处理室，以便清除残留在处理室的内壁及其内部之中的源气体与残余物。如CF4、C2F6、C3F8、C4F8及SF6等高氟化合物(PFC)气体通常作为清除残留在处理室之中的硅、氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的清洁气体。然而，当使用PFC气体清洁处理室时，则一旦PFC气体的反应效率变差而在处理室的排气口处重组成其它气体时，就会产生造成地球温度升高的气体。此种造成地球温度升高的气体通常吸收红外线(IR)而造成地球温度升高。所以，当通过各种方法清洁薄膜沉积设备的处理室时，通常使用PFC气体的替代气体、或减少使用PFC气体，以便免于产生造成地球温度升高的气体。近来，已广泛使用NF3取代PFC气体而作为清洁气体，且NF3的清洁效果较佳，并仅排出极少量的造成地球温度升高的气体。然而，由于NF3的制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造设备的清洁方法，包含以下步骤：一供气步骤，将一第一清洁气体与一第二清洁气体供应到一处理室之中，并使该第一与第二清洁气体形成为一混合气体，其中该第一清洁气体系含有氟化碳气体与氧气，且该第二清洁气体则含有氮气；　 　一活化步骤，通过一高频能量活化该第一与第二清洁气体所形成的混合气体；及一排气步骤，排除该活化的混合气体清洁之后所留下的残余物与残余气体。

【技术特征摘要】
KR 2003-1-29 10-2003-00057891.一种半导体装置的制造设备的清洁方法，包含以下步骤一供气步骤，将一第一清洁气体与一第二清洁气体供应到一处理室之中，并使该第一与第二清洁气体形成为一混合气体，其中该第一清洁气体含有氟化碳气体与氧气，且该第二清洁气体则含有氮气；一活化步骤，通过一高频能量活化该第一与第二清洁气体所形成的混合气体；及一排气步骤，排除该活化的混合气体清洁之后所留下的残余物与残余气体。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造设备的清洁方法，其中该氟化碳气体为C3F8、C4F8及C4F8O的其中一个。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造设备的清洁方法，其中该第二清洁气体含有N2、N2O及NO的其中一个。4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造设备的清洁方法，其中该氟化碳气体与该氧气的流量比在0.1至0.5的范围之内。5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造设备的清洁方法，其中该第二清洁气体与该第一清洁气体的流量比在0.01至0.5的范围之内。6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造设备的清洁方法，其中该第一与第二清洁气体所形成的混合气体是通过该处理室之外的一电浆产生器加以活化。7.根据权利要求1所述的半导体装...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹守植，廉根永，李来应，金基俊，吴昌铉，金知晃，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]