半导体结构的制造方法技术

一种半导体结构的制造方法，其在部分的闸极介电薄膜上形成金属闸极后，利用例如热处理（Ｔｈｅｒｍａｌ　Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）的方式使位于金属闸极下方的闸极介电薄膜转变成高介电常数（Ｈｉｇｈ－ｋ）介电层。如此一来，即可顺利地将闸极介电薄膜转化形成具有高介电常数闸极介电层以及金属闸极的半导体结构。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别涉及一种具有高介电常数(High-k)闸极介电层以及金属闸极的。
技术介绍
随着集成电路组件尺寸的微缩化趋势，闸极氧化层的厚度也需持续缩减才能符合组件性能的需求。然而，闸极氧化层厚度的持续下降，将导致闸极漏电流(Leakage Current)以及掺质渗透的情况日益恶化，严重影响集成电路组件的电性表现。为了解决极薄的闸极氧化层所引发的漏电流以及掺质渗透问题，目前发展出以高介电常数介电薄膜取代一般的氧化层来作为闸极介电层。除了可改善集成电路组件的电子特性外，由于高介电常数介电薄膜的介电值为一般氧化层的介电值的数倍大，因此以高介电常数介电薄膜作为闸极介电层时，厚度可为一般闸极氧化层的数倍大，而有较广的制程窗。此外，为了进一步提升集成电路组件的性能，目前发展出以金属取代多晶硅(Polysilicon)来制作闸极。由于金属的导电性明显优于多晶硅的导电性，因此以金属来作为闸极的材料，可大幅提升集成电路组件的电性性能。然而，以高介电常数介电材料作为闸极介电层的材料，并以金属作为闸极的材料时，在进行闸极与闸极介电层的图案定义时，会遭遇蚀刻选择比(Selectivity)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构的制造方法，至少包括：　　　　提供一基材，其中该基材上至少已形成依序堆栈的一第一材料层以及一第二材料层；以及　　　　进行一后处理步骤，使该第二材料层与该第一材料层反应而使该第一材料层转变成一高介电常数材料层。

【技术特征摘要】
US 2003-2-19 10/369,9921.一种半导体结构的制造方法，至少包括提供一基材，其中该基材上至少已形成依序堆栈的一第一材料层以及一第二材料层；以及进行一后处理步骤，使该第二材料层与该第一材料层反应而使该第一材料层转变成一高介电常数材料层。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于该第一材料层的材料为介电材料。3.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于该第一材料层至少包括一材料选自于由氮(N)、碳(C)、氧(O)以及硅(Si)所组成的一族群。4.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于该第二材料层的材料为金属。5.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于该第二材料层的材料选自于...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘埃森，彭宝庆，雷明达，万文恺，林正忠，黄桂武，林义雄，林佳惠，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]