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一种半导体结构的制造方法,其在部分的闸极介电薄膜上形成金属闸极后,利用例如热处理(Thermal Treatment)的方式使位于金属闸极下方的闸极介电薄膜转变成高介电常数(High-k)介电层。如此一来,即可顺利地将闸极介电薄膜转化形成具...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构的制造方法,其在部分的闸极介电薄膜上形成金属闸极后,利用例如热处理(Thermal Treatment)的方式使位于金属闸极下方的闸极介电薄膜转变成高介电常数(High-k)介电层。如此一来,即可顺利地将闸极介电薄膜转化形成具...