具有覆盖层的熔丝及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种具有覆盖层的熔丝及其形成方法，首先提供一具有内连线及熔丝结构的基底，在基底上形成由第一介电层、停止层及第二介电层组成的覆盖层，在覆盖层上形成一露出内连线表面的第一开口，第一开口上形成有突出覆盖层表面的金属焊垫，并在金属焊垫及覆盖层上依序形成保护层、抗反射层及具有第二开口及第三开口的图案化罩幕层，第二开口露出金属焊垫上方的抗反射层，第三开口露出熔丝上方的抗反射层；然后以图案化罩幕层为罩幕沿第二开口依序蚀刻抗反射层及保护层，及沿第三开口依序蚀刻保护层、第二介电层及停止层以形成熔丝窗。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种熔丝及其形成方法，特别是涉及一种，适用于半导体装置。本专利技术主要是先在熔丝上方形成氧化层-停止层-氧化层的复合层，借助停止层的作用来保留适当厚度的氧化层，达到防止形成熔丝窗时的过度蚀刻而露出熔丝或损伤熔丝，并避免后续如需要修补时熔丝窗可能无法被打穿的机会。
技术介绍
目前半导体装置在进入极大型集成电路制程后，必须缩短线间距以增加积集度，如此，在制造过程中产生的瑕疵或缺陷便有增加的趋势，产出良率自然也随之下降，因此，集成电路(IC)如存储器装置中的静态随机存取存储器(SDAM)或动态随机存取存储器(DRAM)，是利用冗余电路中熔丝的设置，来修复制造过程中产生瑕疵的存储器单元，比如经过电性测试所得的瑕疵的存储器单元，可借助烧断冗余电路中与其连接的熔丝而置换，且随后导通备用行或列的存储单元。目前，烧断熔丝的方法大约以镭射光束烧断和通入高电流为主。以下请参考图1a～1j，图1a～1j是显示公知的形成具有覆盖层的熔丝的方法。请参考图1a，首先，提供一半导体基底101，半导体基底101上可形成任何需要的元件。在半导体基底101上依序形成一介电层102及一图案化罩幕层103本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成具有覆盖层的熔丝的方法，其特征在于，包括下列步骤：　　　　提供一形成有金属内连线及熔丝结构的半导体基底；　　　　在该半导体基底上形成一由一第一介电层、一停止层及一第二介电层组成的覆盖层，并在该金属内连线上方的该覆盖层形成一第一开口，该第一开口露出该金属内连线的表面；　　　　在该第一开口形成一金属焊垫，该金属焊垫突出于该覆盖层表面；　　　　在该金属焊垫及该覆盖层上依序形成一保护层、一抗反射层及图案化罩幕层，该图案化罩幕层具有一第二开口及一第三开口，该第二开口露出该金属焊垫上方的该抗反射层的部份表面，该第三开口露出该熔丝上方的该抗反射层的部份表面；及　　　　以该图案化罩幕层为罩幕沿该第二开...

【技术特征摘要】
1.一种形成具有覆盖层的熔丝的方法，其特征在于，包括下列步骤提供一形成有金属内连线及熔丝结构的半导体基底；在该半导体基底上形成一由一第一介电层、一停止层及一第二介电层组成的覆盖层，并在该金属内连线上方的该覆盖层形成一第一开口，该第一开口露出该金属内连线的表面；在该第一开口形成一金属焊垫，该金属焊垫突出于该覆盖层表面；在该金属焊垫及该覆盖层上依序形成一保护层、一抗反射层及图案化罩幕层，该图案化罩幕层具有一第二开口及一第三开口，该第二开口露出该金属焊垫上方的该抗反射层的部份表面，该第三开口露出该熔丝上方的该抗反射层的部份表面；及以该图案化罩幕层为罩幕沿该第二开口依序蚀刻该抗反射层及该保护层，直至露出该金属焊垫的表面为止，同时沿该第三开口依序蚀刻该保护层、该第二介电层及该停止层以形成一熔丝窗。2.如权利要求1所述的形成具有覆盖层的熔丝的方法，其特征在于，该金属内连线为铜内连线。3.如权利要求1所述的形成具有覆盖层的熔丝的方法，其特征在于，该熔丝的材料为铜金属。4.如权利要求1所述的形成具有覆盖层的熔丝的方法，其特征在于，该第一介电层及该第二介电层的材料皆为氧化硅层，厚度皆为1000至1000k。5.如权利要求1所述的形成具有覆盖层的熔丝的方法，其特征在于，该停止层为氮化硅层，厚度为50至50k。6.如权利要求1所述的形成具有覆盖层的熔...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴瑞国，吴义郎，吴林峻，陈殿豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]