一种在导电金属结构上形成平坦内金属介电层的方法包括：在导电金属结构上形成衬氧化层；低介电材料层；未固化低介电材料层；未固化硅氧烷层；在未固化硅氧烷层与未固化低介电材料层上实施ＣＭＰ，ＣＭＰ停止于固化低介电材料层的表面，因此在导电金属结构...

一种在一半导体晶片上形成电导接结构的方法，包括以下步骤：在该半导体晶片上形成一绝缘层；在该绝缘层上形成一钛金属层，作为粘着层；在该钛金属层上形成一氮化钛层，作为阻挡层；进行一快速热回火步骤；在该氮化钛层之上形成一钨金属层；以及进行等离子...

一种在基底上形成双重金属镶嵌结构的方法，该结构包括一接触窗与一内连线，该方法包括：形成一绝缘层在基底上，接着形成一氧化硅层于该绝缘层上，形成一掩模氧化层于该氮化硅层上，然后以光刻与蚀刻步骤依序除去相对应于该接触窗位置上的绝缘层、该氮化硅...

一种在半导体元件表面上形成一平坦的层间介电层的制造方法，包括先形成衬底氧化层，在衬底氧化层表面上形成一硼磷硅玻璃层，接着，对硼磷硅玻璃层进行平坦化制造工艺，然后在硼磷硅玻璃层表面上形成上覆氧化层，最后在上覆氧化层表面上形成氮化硅层。

一种降低在蚀刻氮化物层时在开口轮廓产生微负载的方法。此方法包括：首先提供一基底，在其上形成氮化物层。其次在氮化物层上形成光致抗蚀剂层，利用已限定的图案，对光致抗蚀剂层曝光显影。在反应离子蚀刻反应器中，以氧气与氩气为等离子气体，对光致抗蚀...

一种步进分析方法包括：产生一十字线光掩模，包括第一及第二边角光掩模，用以遮蔽在晶片表面上的第一四方形区，第三边角光掩模，用以遮蔽在晶片表面上的一第二四方形区，其中第一四方形区大于第二四方形区，以及第四边角光掩模，用以使得第三四方形区曝光...

一种插塞的制造方法，包括下列步骤：首先提供基底，此基底上形成有介电层，介电层上形成有开口，开口暴露出基底上用来导通其它结构的区域。然后形成黏着层覆盖开口中用来导通其它结构的区域。接着形成插塞物质层于开口中，并且蚀刻插塞物质层以形成插塞，...

一种插塞的制造方法，包括下列步骤，提供一基底，形成具有开口的介电层覆盖基底。然后形成黏着层覆盖开口，接着形成插塞物质覆盖位于开口中与介电层上的黏着层。然后回蚀插塞物质，并且使插塞物质的高度大约高于介电层上的黏着层。接着形成金属层覆盖钨层...

一种具有分离栅极与源极注射的快闪存储器及其制造方法，使用相同的多晶硅层来形成浮置栅与控制栅，在浮置栅下方具有一穿隧氧化层，控制栅下方具有一栅氧化层，且穿隧氧化层厚度较栅氧化层厚度薄。由于浮置栅与控制栅是以同一多晶硅层所限定，所以使得本发...

一种可擦除可编程只读存储器隧穿氧化物单元的制造方法，包括下列步骤：提供一基底，此基底上有一元件区。形成离子注入区于元件区中，接着，形成一栅极氧化层于基底上。形成浮置栅、介电层、控制栅与氧化层于基底上。本发明包括在形成栅极氧化层之前，先于...

一种快闪电性可抹除只读存储器，其特色为以热载子注射执行编码，并且以负栅极电压执行通道抹除。此存储器的结构特征为具有用以在存储器抹除操作时形成一独立绝缘井的三井结构，其包括一Ｐ井与一Ｎ井位于一Ｐ基底内，以及以Ｎ井隔离Ｐ井与Ｐ基底。

本发明快闪存储器分离栅极结构的制造方法，藉由内介电层的沉积与化学机械研磨法，平坦化原本高低不平的分离栅极表面，进而提高选择栅的沉积及蚀刻品质。本发明除可简化制作工艺外，还可以有效缩小存储单元尺寸，并同时兼顾分离栅极所具有的高可编程效能，...

一种快闪存储单元的制造方法包括步骤：提供已设有至少一多层栅极结构的半导体基底，栅极结构包括第一导电层、介电层、第二导电层与氮化硅层；在栅极结构周围形成一第一间隙壁；在栅极结构与基底上形成多晶硅层；在多晶硅层的侧边周围形成第二间隙壁；以第...

一种只读存储器及其制造方法，依序形成隧穿氧化层、第一多晶硅层、底面氧化层与第一氮化硅层于半导体基底上，掩模限定使第一多晶硅层为浮置栅。再在基底形成掺杂区，并形成顶端氧化层及第二氮化硅层于第一氮化硅层上。后回蚀第二氮化硅层，使浮置栅侧壁形...

一种高耦合率永久性存储器及其制造方法，其在场氧化层与隧穿氧化层的半导体基底上依序形成第一多晶硅层与第一介电层。第一多晶硅层的硅作为浮置栅，第二多晶硅层于该第一介电层上，并回蚀以在该第一介电层与该浮置栅侧壁有间隙壁。后去除第一介电层并形成...

一种制造ＭＩＭ结构的电容器的方法包括在基底上形成第一介电层；在介电层上形成接触开口；形成第一金属层覆盖于第一介电层上与接触开口之中；在此金属层上依次形成阻挡层、第二介电层、不连续的半球形颗粒的多晶硅层；蚀刻第二介电层；去除多晶硅层；蚀刻...

一种堆叠形动态随机存取存储器存储单元的电容器的制造方法。首先，形成一接触窗开口于堆叠介电层，此堆叠介电层由一层间介电层、第一氮化物层、高温氧化层及第二氮化物层所组成，接着，在接触窗开口上形成一即时掺杂的非晶硅，并去除第二氮化物层，在此非...

一种ＤＲＡＭ存储单元的电容器的制造方法包括：在层间介电层和氮化物层中形成接触窗开口；以第一多晶硅层填满接触窗开口，形成存储节接触窗；形成一氧化层；限定及蚀刻以形成中间堆叠结构；在此结构侧壁形成第一多晶硅间隙壁；去除部分氧化层，露出第一多...

一种在集成电路中形成相邻于一信号线的一屏蔽线的制造方法，该方法包括：在该信号线的上方形成一氧化硅层；回蚀该氧化硅层，以在该信号线的侧壁上形成一间隙壁；在该信号线和该氧化硅层的上方沉积一层金属层；去除顶端部分的该金属层，使得剩余的该金属层...

一种在一基底上的一下层金属内连线结构上方形成金属层间介电层或内层介电层的方法包括：在该基底上形成一金属层；在金属层上形成一抗反射涂层；在抗反射涂层上形成一硬掩模；对金属层、抗反射涂层以及硬掩模构图，以形成该金属内连线结构；在该金属内连线...