一种鳍状的半导体二极管结构，此结构包括一半导体基材、一垂直半导体鳍状体、一第一导电件与一第二导电件。半导体鳍状体位于半导体基材上方，半导体鳍状体具有掺杂有第一掺杂物的第一重掺杂区域与掺杂有第二掺杂物的第二重掺杂区域，第一重掺杂区域与第二...

本实用新型提供一种具多厚度的绝缘层上半导体的结构，提供一晶圆，此晶圆具有重叠位于基材上的埋入绝缘层上的一半导体膜（具有至少两区域）。覆盖半导体膜至少两区域中的一者，以提供具有一第一厚度的至少一半导体膜覆盖部分，保留暴露半导体膜至少两区域...

一种金属镶嵌的结构，先依序沉积一蚀刻终止层与一介电层于一基础层上方，然后于介电层与蚀刻终止层中形成一开孔，再于介电层表面与开孔侧边及底部沉积一碳化硅层，最后于开孔中形成一金属层。本实用新型的碳化硅层可避免金属层扩散至介电层，得以降低漏电...

本实用新型揭示一种具散热器的球门阵列封装体，包含：一半导体芯片，其固定于一球门阵列基板；一封装胶体在上述球门阵列基板上，封入上述半导体芯片；一散热器置于上述球门阵列基板上，并与上述封装胶体之间具有一间隔；以及一散热膏（ｔｈｅｒｍａｌ　　...

本实用新型揭示一种集成电路晶片的封装，其包括一集成电路晶片、一围堰、一应力缓冲材料、及一封胶材料。集成电路晶片是附着于一基板上。围堰是围绕集成电路晶片而应力缓冲材料则覆盖集成电路晶片的至少一角落。封胶材料是覆盖集成电路晶片及围堰内部的整...

本实用新型揭示一种半导体装置，该半导体装置具有一基底，其表层具有〈１００〉的结晶方向。借由硅化的源／漏极区、张力层、浅沟槽隔离结构、层间介电质等，施加用以增进ＮＭＯＳ场效晶体管效能的张应力。本实用新型有效地改善了晶体管的效能。

本实用新型提供一种半导体元件。该半导体元件包括：基底；位于该基底上的栅极；源极与漏极形成在栅极两侧的基底中；以及具有第一层与第二层的薄间隙壁形成于栅极侧壁，其中第一层与第二层具有在使用相同刻蚀剂时具有相当的刻蚀速率，这里相当的刻蚀速率表...

本实用新型是提供多层内联机内层介电层的结构，以及包括内层介电层的半导体组件。该内层介电层包括第一低介电常数材料层及形成于该第一低介电常数材料上的第二低介电常数材料。该第二低介电常数材料层至少较第一低介电常数材料层具有一不同的材料特征。而...

一种内联机结构，包括：第一导电层位于一基底中；一介电层于上述第一导电层上且具有一开口延伸至上述第一导体层；以及第二导体层位于上述开口中且接触该第一导电层的一部分，其中一介于上述第一与第二导体层的界面大体沿着一大体为曲型的轮廓。

一种防止芯片破裂的控制装置，至少包含一气泡传感器与一可编程逻辑控制器。气泡传感器用以计算循环回路内气泡的数目，或检测到循环回路吸入气体的状况，可编程逻辑控制器用以分析接收自气泡传感器的开启关闭信号与设计警报参数（ａｌａｒｍ　　ｐａｒａｍ...

一种动态随机存取存储器电容器及其下电极的制造方法，其电容器下电极包括掺杂非晶硅层、不具掺杂的非晶硅层以及半球型硅晶粒层。在形成有双重金属镶嵌开口的绝缘层中，先形成掺杂非晶硅层与不具有掺杂的非晶硅层，其与双重金属镶嵌开口裸露的接触窗电耦接...

一种动态随机存取存储器电容器及其下电极的制造方法，在基底上先依序形成介电层、第一导电层与绝缘层，然后，于源极／漏极区绝缘层形成一开口图案。又在基底形成第二层导电层，并回蚀第二导电层与第一导电层形成间隙壁。后以间隙壁与第一导电层为蚀刻掩模...

一种介层窗的制造方法，利用阻挡层做为介层窗的蚀刻掩模，进行介层窗的蚀刻步骤之前，利用等离子氧将光致抗蚀剂剥除，做为内金属介电层的ＳＯＧ材料，不会暴露在等离子氧的环境中，因此可以有效避免介层窗污染。此外所选用的阻挡层并非高介电常数材料，完...

一种ＤＲＡＭ及金属连线的制造方法包括：提供包括单元区域和周边电路区的半导体基底，其上已形成有覆盖晶体管和导电层的第一绝缘层；在第一绝缘层中形成多个开口以暴露出源极／漏极区和导电层；在暴露源极／漏极区的开口处形成存储节点，在暴露出导电层的...

一种金属层间介电层包括：一阻挡层，位于导线与基底的上方；以及一氟掺杂高密度等离子氧化层，覆盖于该阻挡层上。其制造方法包括：在集成电路结构上形成一缓冲层；在缓冲层上形成一阻挡层；以及在阻挡层上形成一氟掺杂高密度等离子氧化层。阻挡层可以阻止...

一种具有高耦合比的快闪存储单元，包括：一半导体基底；一栅极氧化层，位于该半导体基底之上，且该栅极氧化层包括一薄区域和一厚区域；一浮置栅，位于该薄区域之上；一控制栅，位于该厚区域之上；一漏极区，位于该薄区域之下，且位于该浮置栅之内的基底中...

公开一种多阶快闪存储单元及其制造方法，该存储单元包括：一ｐ型硅基底；一深ｎ井，位于该ｐ型硅基底中；一ｐ井，位于该深ｎ井中；一第一绝缘层，位于该ｐ井表面上；三个浮置栅极，彼此邻近但隔绝，且位于该第一绝缘层上；一源极区和一漏极区，位于该ｐ井...

一种形成双冠状电容器的制造方法包括：形成第一介电层；构图和蚀刻以形成接触窗开口；在第一介电层上形成第一导电层，并填入接触窗开口；在第一导电层上形成第二介电层；构图和蚀刻第二介电层和第一导电层，以在接触窗开口上形成中间结构；形成第二导电层...

一种形成浅沟槽隔离的方法包括：在基底上形成衬垫氧化层、介电层和即时掺杂多晶硅层；形成至少一沟槽；沿着沟槽的侧壁与即时掺杂多晶硅层表面，形成氧化物衬层；在氧化物衬层上与沟槽中，形成化学气相沉积氧化物层；在此氧化物层上，实施氧化物研磨浆化学...

一种半导体元件减少钨损失阻挡层的制造方法，所述制造方法至少包括：提供具有一介电层的一元件，至少包括一高高宽比接触窗开口；以化学气相沉积法沉积一氮化钛共形膜；以物理气相沉积法沉积一氮化钛膜；以及以化学气相沉积法沉积一金属钨，至少填入所述高...