避免碟形凹陷的浅沟槽隔离方法技术

一种形成浅沟槽隔离的方法包括：在基底上形成衬垫氧化层、介电层和即时掺杂多晶硅层；形成至少一沟槽；沿着沟槽的侧壁与即时掺杂多晶硅层表面，形成氧化物衬层；在氧化物衬层上与沟槽中，形成化学气相沉积氧化物层；在此氧化物层上，实施氧化物研磨浆化学机械研磨，其在到达即时掺杂多晶硅层表面前停止；及在剩余的氧化物层与即时掺杂多晶硅层上，实施多晶硅研磨浆化学机械研磨，其停止于介电层的表面。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种为集成电路形成隔离(isolation)的方法，特别是涉及一种形成浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation,STI)的方法。半导体集成电路(ICs)的发展方向为增加密度与缩小元件。在集成电路制造中，隔离结构是一种重要技术。形成在硅基底上的元件必须与其它元件隔离。在次微米集成电路中建立有效的隔离，降低表面隔离空间，是一种复杂且具挑战性的目标。一种现有浅沟槽隔离的方法为，在一高温氧化炉管内氧化一硅晶圆，成长一约150至250埃厚的衬垫氧化层(pad oxide layer)。衬垫氧化层一般由二氧化硅形成。然后，在衬垫氧化层上沉积厚度约1500至2000埃的氮化硅层(nitride layer)。之后，执行光掩模与蚀刻步骤，形成约0.4至0.5μm深的沟槽。然后，在沟槽的侧壁(sidewall)上成长厚度约为150至300埃的一热氧化物衬层(thermal oxide liner)。接着，以化学气相沉积(CVD)形成一CVD氧化物。然后，以化学机械研磨(CMP)法研磨此CVD氧化物。将化学机械研磨应用于现有浅沟槽隔离结构会出现几种问题。在化学机械本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在一基底中形成浅沟槽隔离的方法，所述方法包括： 在所述基底上形成一衬垫氧化层； 在所述衬垫氧化层上形成介电层； 在所述介电层上形成一即时掺杂多晶硅层； 在所述基底中形成至少一沟槽； 沿着所述至少一沟槽的侧壁与在所述即时掺杂多晶硅层表面上，形成一氧化物衬层； 在所述氧化物衬层上与所述至少一沟槽中，形成一化学气相沉积氧化物层； 在所述化学气相沉积氧化物层上，实施一氧化物研磨浆化学机械研磨，所述氧化物研磨浆化学机械研磨在到达所述即时掺杂多晶硅层表面前停止；以及 在所述剩余的化学气相沉积氧化物层与所述即时掺杂多晶硅层上，实施一多晶硅研磨浆化学机械研磨...

【技术特征摘要】
US 1998-4-15 0607711．一种在一基底中形成浅沟槽隔离的方法，所述方法包括在所述基底上形成一衬垫氧化层；在所述衬垫氧化层上形成介电层；在所述介电层上形成一即时掺杂多晶硅层；在所述基底中形成至少一沟槽；沿着所述至少一沟槽的侧壁与在所述即时掺杂多晶硅层表面上，形成一氧化物衬层；在所述氧化物衬层上与所述至少一沟槽中，形成一化学气相沉积氧化物层；在所述化学气相沉积氧化物层上，实施一氧化物研磨浆化学机械研磨，所述氧化物研磨浆化学机械研磨在到达所述即时掺杂多晶硅层表面前停止；以及在所述剩余的化学气相沉积氧化物层与所述即时掺杂多晶硅层上，实施一多晶硅研磨浆化学机械研磨，所述多晶硅研磨浆化学机械研磨停止于所述介电层的表面。2．如权利要求1所述的方法，还包括移除所述介电层；以及移除所述衬垫氧化层。3．如权利要求1所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗吉进，杜友伦，张格荥，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]