形成没有凹陷的沟槽隔离的方法技术

提供一种形成嵌埋于半导体衬底中的沟槽隔离的方法，其中采用干法腐蚀去掉氮化物沟槽掩模，以抑制氮化物沟槽衬里的凹陷现象。干法腐蚀以相同的腐蚀速率腐蚀沟槽掩模和沟槽衬里。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体制造，特别涉及没有凹陷的沟槽隔离。随着器件尺寸越来越小，并且器件密度增大，越来越难建立有效且可靠的隔离工艺，以隔离各有源器件。标准LOCOS工艺的局限推动了对新隔离技术的探索和开发，由于其采用完全隐埋的氧化物、没有鸟嘴、完全平面化、且不会发生场氧化物减薄效应，所以沟槽隔离是一种有前途的候选者。一般情况下，浅沟槽隔离(此后称STI)包括利用沟槽掩模，并腐蚀硅衬底，在其中形成沟槽。氮化物层形成于沟槽内。淀积沟槽填充层，以填满沟槽。对沟槽填充层上进行平面化腐蚀，并去掉沟槽掩模。下面结合附图说明图1A-1D介绍常规STI法的缺点。图1A是示意性显示沟槽16及沟槽掩模12和14的半导体衬底10的剖面图。沟槽掩模由氧化物层12和富硅氮化物层14构成，富硅氮化物层中的硅含量大于氮含量。氧化物层12利用热氧化工艺形成。沟槽掩模利用常规光刻工艺形成。通过各向异性干法腐蚀进行由该掩模暴露的半导体衬底10的腐蚀。参见图1B，在沟槽内形成热氧化物层18，以便去掉腐蚀半导体衬底10的步骤引起的衬底损伤。在热氧化物层18上形成氮化硅衬里20，以防止沟槽内部氧化，众所周知，沟槽内的氧化会本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成半导体器件的沟槽隔离的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上提供氮化物沟槽掩模，以暴露所述半导体衬底的选择部分；利用所述氮化物沟槽掩模，腐蚀所述暴露的半导体衬底，以在其中形成沟槽；在所述沟槽内形成热氧化物层；在所述热氧化 物层上和所述氮化物沟槽掩模之上形成氮化物沟槽衬里；在所述沟槽中和所述氮化物沟槽衬里上形成沟槽填充层；平面化所述沟槽填充层和所述氮化物沟槽衬里，并停止在所述氮化物沟槽掩模；及干法腐蚀所述沟槽外的氮化物沟槽掩模，并暴露所述半导体衬底 。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 1998-6-24 23854/981.一种形成半导体器件的沟槽隔离的方法，包括以下步骤在半导体衬底上提供氮化物沟槽掩模，以暴露所述半导体衬底的选择部分；利用所述氮化物沟槽掩模，腐蚀所述暴露的半导体衬底，以在其中形成沟槽；在所述沟槽内形成热氧化物层；在所述热氧化物层上和所述氮化物沟槽掩模之上形成氮化物沟槽衬里；在所述沟槽中和所述氮化物沟槽衬里上形成沟槽填充层；平面化所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：南信祐，徐俊，崔昶源，洪瑛基，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]