用于半导体装置中的绝缘膜和半导体装置制造方法及图纸

提供了一种具有低介电常数且其性能足以胜任作为半导体装置的中间层绝缘膜的一种绝缘膜，和使用该绝缘膜的半导体装置。用作半导体装置的中间层绝缘膜的一种半导体装置绝缘膜，该绝缘膜主要由聚－α，α－二氟亚对二甲苯组成并具有２．１－２．７的相对介电常数。用作半导体装置的中间层绝缘膜的一种半导体装置的绝缘膜，该绝缘膜主要由聚α，α－二氟亚对二甲苯组成和具有０．４－０．９的台阶覆盖率。能够填充缝隙的用于半导体装置的绝缘膜，该绝缘膜主要由聚α，α－二氟亚对二甲苯组成，和其深度（Ｄ）和开口宽度（Ｌ）之比（Ｄ／Ｌ）是１或１以上。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在半导体装置制造过程中形成的中间层绝缘膜和使用该中间层绝缘膜的半导体装置。电路图的微型化，半导体装置低能耗和高速度的操作的实现，使低电容和低电阻的电路图得以发展。作为确保电路高速和正常运行的一个方法，考虑降低中间层绝缘膜的介电常数。含有碳原子的绝缘膜，如无定形碳膜，含有氟原子的有机化合物绝缘膜，和无机绝缘膜作为具有低介电常数的绝缘膜已引起人们的注意。然而，必须满足以下要求才能成为目前最常使用的氧化硅绝缘膜的替代物。即，它们必须具有1)低介电常数，和还具有以下特性，它们是半导体绝缘膜所基本要求的2)良好的粘附性，3)良好的使用性能，4)良好的台阶覆盖率，5)良好的填隙性能，6)低吸水性，7)对抗金属镶嵌工艺(埋线)的能力。然而，迄今还没有具有低介电常数和同时满足半导体装置的中间层绝缘膜所需要的所有特性的材料。本专利技术的目的是提供一种具有低介电常数和具备的性能对于半导体装置的中间层绝缘膜来说已足够的一种绝缘膜，还提供使用该绝缘膜的半导体装置。本专利技术的目的可通过本专利技术的以下组成部分来实现(1)用作半导体装置的中间层绝缘膜的一种半导体装置的绝缘膜，该绝缘膜主要由本文档来自技高网...

【技术保护点】
用作半导体装置的中间层绝缘膜的一种半导体装置绝缘膜，该绝缘膜主要由聚－α，α－二氟亚对二甲苯组成并具有２．１－２．７的相对介电常数。

【技术特征摘要】
JP 1998-6-15 183376/981.用作半导体装置的中间层绝缘膜的一种半导体装置绝缘膜，该绝缘膜主要由聚-α，α-二氟亚对二甲苯组成并具有2.1-2.7的相对介电常数。2.用作半导体装置的中间层绝缘膜的一种半导体装置的绝缘膜，该绝缘膜主要由聚α，α-二氟亚对二甲苯组成和具有0.4-0.9的台阶覆盖率。3.能够填充缝...

【专利技术属性】
技术研发人员：木元寿勇，望月励，
申请(专利权)人：岸本产业株式会社，第三化成株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]