一种利用N型离子注入形成双深度隔离沟道的方法技术

本发明专利技术公开了一种利用N型离子注入形成双深度隔离沟道的方法，具体是通过对图像传感器外围电路区进行N型离子注入，利用在浅沟道隔离蚀刻过程中掺杂后的衬底硅比不掺杂衬底硅蚀刻速率高的特点，适当缩短蚀刻时间来降低像素单元区的沟道深度而保证外围电路区隔离沟道的深度不受影响，从而在芯片的不同区域形成不同深度的隔离浅沟道。在保证后续沟道填充工艺不受影响的条件下，隔离沟道深度降低后的像素单元区允许像素单元之间的间隔缩小，从而增加像素单元中感光有源区的面积，进而增加了感光有源区所占芯片总面积的比例（即像素填充率），从而提高传感器的成像质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及CMOS半导体器件工艺领域，尤其涉及一种利用N型离子注入形成双深度隔离沟道的方法。
技术介绍
自上世纪60年代末期美国贝尔实验室开发出固态成像器件和一维CXD(电荷耦合元件，Charge-Coupled Device)模型器件以来，CCD在图像传感、信号处理、数字存储等方面发展迅速。随着CCD器件的广泛应用，其缺点逐渐显露出来，为此人们又开发了另外几种固态图像传感器，其中最有发展潜力的是采用标准CMOS制造工艺制造的CMOS图像传感器。到了 90年代初期，超大规模集成技术的飞速发展，而CMOS图像传感器可在单芯片内集成A/D 转换、信号处理、自动增益控制、精密放大和存储等功能，大大减小了系统复杂性，降低了成本，此外，它还具有低功耗、单电源、低工作电压、成品率高等优点，因而显示出强劲的发展势头。成像质量是衡量CMOS图像传感器性能的最重要指标之一，要得到好的成像质量， 提高器件的信噪比是一个有效的方法。为了提高信噪比，在版图设计上可以加大器件中用来收集光信号的有源区面积所占全部芯片面积的比例(即像素填充率)。图1显示了图像传感器像素单元区的有源区形貌，其中，感光器件有源本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗飞，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：