一种电子束对准标记的制作方法及其应用技术

本发明专利技术公开了一种电子束对准标记的制作方法，采用Ｔｉ／Ｐｔ金属结构作为对准标记的金属结构，对衬底材料采用光刻方法进行光刻，在衬底材料最顶层的铝镓氮外延层形成电子束对准标记。本发明专利技术同时公开了一种利用电子束对准标记制作有效栅线条方法，Ａ．对衬底材料采用光刻方法进行光刻，形成电子束对准标记，并蒸发标记金属Ｔｉ／Ｐｔ；Ｂ．对衬底材料采用光刻方法进行光刻，形成源漏图形，并蒸发源漏金属；Ｃ．退火合金，形成良好的欧姆接触；Ｄ．有源区离子注入隔离；Ｅ．电子束光刻，完成栅线条曝光；Ｆ．蒸发栅金属，形成有效栅线条。利用本发明专利技术，有效解决了高温退火后对准标记金属形貌发生变化而导致电子束曝光机无法准确辨认对准标记的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及宽禁带半导体材料器件制作
，尤其涉及一种电子 束对准标记的制作方法及利用电子束对准标记制作有效栅线条的方法。
技术介绍
在半导体场效应晶体管结构当中，栅长是决定器件频率最关键的因素。而对于应用在X波段GaN HEMT器件来说，为了得到至少4倍于工 作频率甚至更高的截止频率，栅长的要求已经到达亚微米水平，普通的光 学光刻技术已经远远不能满足我们的要求。因此，在制作栅的工艺过程中，采用了具有高的分辨率和套刻精度的 直写电子束曝光方法，能制作0.1到0.25微米甚至几十纳米的微细线条。常规的用电子束直写技术形成栅线条的GaN HEMT器件工艺中，通 常的工艺步骤如下步骤1:电子束直写光刻或者普通光学光刻，形成电子束对准标记， 蒸发标记金属，金属组分一般为Ti/Au=200/1000A。步骤2:电子束直写或者直接普通光学光刻源漏图形，并蒸发源漏金 属；如图1所示，图1为常规对准标记金属(Ti/Au=200/1000A)结构退 火前形貌示意图。步骤3:退火，使源漏金属与衬底材料形成良好的欧姆接触；如图2所示，图2为常规对准标记金属(Ti/Au=200/1000A)结构退火本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子束对准标记的制作方法，其特征在于，该方法包括：采用Ｔｉ／Ｐｔ金属结构作为对准标记的金属结构，对衬底材料采用光刻方法进行光刻，在衬底材料最顶层的铝镓氮外延层形成电子束对准标记。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘果果，和致经，魏珂，刘新宇，郑英奎，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]