移除间隙壁的方法、金氧半导体晶体管元件及其制造方法技术

本发明专利技术揭示一种移除间隙壁的方法、制造金属氧化物半导体晶体管元件的方法、及金属氧化物半导体晶体管元件，其中，于移除间隙壁之前，先于源极／漏极区域与栅极上的物质层（例如自对准金属硅化物层）及间隙壁上沉积一保护层，使得保护层在间隙壁上的厚度小于在物质层上的厚度，再部分移除保护层，使得保护层在间隙壁上的厚度大致上为零，而在物质层上仍有残余。因此，在移除间隙壁时，物质层可受有保护层的保护。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件工艺，尤其涉及金属氧化物半导体(MOS) 晶体管元件工艺中对于间隙壁的移除。
技术介绍
随着半导体工艺进入到深亚微米时代，例如65纳米(nm)以下的工艺， 对于MOS晶体管元件的驱动电流(drive current)的提升已显得日益重要。为 了改善元件的效能，目前业界已发展出所谓的"应变硅(strained-silicon)技 术"，其原理主要是使栅极沟道部分的硅晶格产生应变，使电荷在通过此应 变的栅极沟道时的移动力增加，进而达到使MOS晶体管运作更快的目的。基本上，硅晶格的应变可以藉由以下两种方式达到第一种方式是利 用形成在晶体管周围的应力薄膜，例如沉积在多晶硅栅极上的应力膜(poly stressor)或者在金属硅化物层形成后才沉积的接触洞蚀刻停止层(contact etch stop layer, CESL)，此方式又被称作"工艺i秀发应变(process-induced strain)";另一种方式则是直接利用应变硅晶片进行元件的制作。后者的应 变硅晶片的作法是在晶格常数比硅大的半导体基材上成长出应变硅层。目 前，大部分晶片制造业者都是采用前者来本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种移除间隙壁的方法，包括：提供基底，其中，该基底具有电极，该电极的至少一侧壁上具有间隙壁，及该基底与该电极的表面或顶部具有物质层；进行沉积工艺以于该物质层及该间隙壁上沉积保护层，使得该保护层在该间隙壁上的第一厚度小于在该物 质层上的第二厚度；进行第一蚀刻工艺以部分移除该保护层，使得在该间隙壁上的该保护层大致上被移除殆尽，而在该物质层上的该保护层仍有残余厚度；以及进行第二蚀刻工艺以移除该间隙壁，其中该间隙壁对于该保护层而言具有蚀刻选择性。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周珮玉，邹世芳，廖俊雄，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]