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本发明揭示一种移除间隙壁的方法、制造金属氧化物半导体晶体管元件的方法、及金属氧化物半导体晶体管元件，其中，于移除间隙壁之前，先于源极／漏极区域与栅极上的物质层（例如自对准金属硅化物层）及间隙壁上沉积一保护层，使得保护层在间隙壁上的厚度小于在...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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