【技术实现步骤摘要】
本专利技术用于LED照明驱动IC设计，提出了一种采用反极性离子注入，将控制电路和输出功率管的衬底部分隔离开来的解决方案。
技术介绍
随着LED照明驱动电路小型化和高集成度的要求，开始有趋势将输出功率管集成到芯片内部区。在常见的电路构架中，在输出管的射极上串接参考电阻，用来测流(将输出电流转化为对地电压)反馈给控制部分。然而，制作在高压工艺上的功率管，其射极往往是直接接地(与井相连)的。这严重危害测流电阻的功能和精确性。
技术实现思路
本专利技术采用离子注入，将控制电路和输出功率管的衬底部分隔离开来。其基本原理是在控制电路和输出管之间，建立一个隔离区；在这个隔离区进行与原衬井阳极相反离子注入，并使其形成的井深度显著深于后者；并用更浓的注入接触此井，且在工作时予以反向偏置。这样在两个衬井之间，就基本实现了隔离，反剩下深于隔离井部分的原始硅片的漏电，而此电阻通常较大。通过选择适当的隔离区宽度，不难达到远大于测流电阻值的目的。附图说明图1是驱动电路架构，其中A是反向二极管 B是发光管阵列C是输出功率管 D是测流电阻E是控制电路图2是本专利技术的版图架构示意图，其中X是控制电路区域Y是输出功率管电路图Z是隔离区图3是对应的硅片内剖面图具体实施例方式本专利技术之电路在基本实现中，所需要形成的隔离井可以用复杂工艺中满足深度和浓度要求的注入复用。为避免浪费芯片面积，可在隔离区放置焊盘或电容。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种LED照明驱动电路的设计，采用离子注入，将控制电路和输出功率管的衬底部分隔离开来。2.一种符合专利要求1的电路设计，其特征在于，其基本原理是在控制电路和输出管之间，建立一个隔离区；在这个隔离区进行与原衬井阳极相反离子注入，并使其形成的井深度显著深于后者；并用更浓的注入接触此井，且在工作时予以反向偏置；这...
【专利技术属性】
技术研发人员：李煜文，
申请(专利权)人：上海摩晶电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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