一种节省布线的SRAM单元的设计方法技术

本发明专利技术用于SRAM类电路的设计和制造，提出了一种节省布线的SRAM单元的设计方法，即：通过N井为单元提供供电，能减少一根金属线，有助于减少芯片面积和降低成本。

【技术实现步骤摘要】
一种节省布线的SRAM单元的设计方法
本专利技术用于SRAM类电路的设计和制造，提出了一种节省布线的SRAM单元的设计方法，即:通过N井为单元提供供电，能减少一根金属线，有助于减少芯片面积和降低成本。
技术介绍
通常的SRAM单元，其存储核心由2个反接的反相器，由电源和地两根总线供电。对应的，需要提供两根总线的接触点。这占用了宝贵的面积。
技术实现思路
本专利技术的用意在于，在每个SRAM单元内减少一个接触点和电源总线相连。达到这个目的的方法是把反相器的供电转移到硅表面以上。其基本原理是:将DMOS管的源极(P+)通过矽化物与N井通过N+连接起来，而N井在整个内核阵列都是连续的。【附图说明】图1是传统的SRAM单元电路。图2是本专利技术的SRAM单元的等效电路。【具体实施方式】本专利技术在具体实现上，要充分考虑到N井电阻值对单元工作的影响，这需要在设计工作中建立等效电路，把N井带来的电阻网络充分考虑进去。当单元阵列达到一定大小后，应当放tapping cell (加强单元),用金属导线练到电源总线，将N井电阻的影响降低到可承受的地步。

【技术保护点】
一种节省布线的SRAM单元的设计方法。

【技术特征摘要】
1.一种节省布线的SRAM单元的设计方法。2.一种符合权利要求1的设计，其特征在于，通过N井为每个单元供电，有利于减少电路的面积和降低成本。3.一种符合权利要求1的设计，其特征在于，在每个SRAM单元内减少一个接触点和电源总线相连。4.一种符合权利要求1及权利要求3的设计，其特征在于，把反相器的供电转移到硅表面以上。5.一种符合权利要求4的设计，其特征在于，其基本原理是:将DMOS管的源极(P+)通过矽化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：李煜文，
申请(专利权)人：上海摩晶电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：